[发明专利]非易失性存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：

至少一衬底，所述衬底中设置有多个有源区，以及在所述有源区中形成有一源掺杂区和一漏掺杂区；

至少一浮置栅极，形成在所述衬底的所述有源区上，所述浮置栅极位于所述源掺杂区和所述漏掺杂区之间并部分遮盖所述源掺杂区，并且所述浮置栅极靠近所述漏掺杂区的顶表面上形成有第一尖端结构，所述第一尖端结构指向所述漏掺杂区，以及述浮置栅极中与所述第一尖端结构接壤的顶表面和所述浮置栅极的侧壁连接构成第二尖端结构；

至少一第一侧墙，形成在所述浮置栅极的上方，所述浮置栅极的所述第二尖端结构往远离所述源掺杂区的方向凸出于所述第一侧墙的侧壁；

至少一源极线，形成在所述衬底的所述有源区上，其中所述源极线位于所述浮置栅极靠近所述源掺杂区的一侧，以使源极线与所述源掺杂区电性连接；以及，

至少一字线，形成在所述衬底的所述有源区上，其中所述字线位于所述浮置栅极和所述漏掺杂区之间，并覆盖所述浮置栅极和邻接所述第一侧墙靠近所述漏掺杂区的侧壁。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述第一尖端结构的顶角指向所述漏掺杂区，以及所述第一尖端结构的厚度尺寸从所述顶角至远离所述顶角的方向逐渐增加，以使所述第一尖端结构中与所述浮置栅极接壤的表面形貌为弧形凸出，以及所述浮置栅极中与所述第一尖端结构接壤的顶表面形貌为弧形凹陷。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述第一侧墙包括一介质层和一导电层；其中，

所述介质层具有一水平部和一竖直部，所述水平部形成在所述浮置栅极的顶表面上，所述竖直部在所述水平部靠近所述漏掺杂区的端部上与所述水平部连接；

所述导电层形成在所述介质层上，以使所述导电层和所述浮置栅极之间间隔有所述水平部，以及所述导电层和所述字线之间间隔有所述竖直部。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器，其特征在于，所述源极线还覆盖所述第一侧墙的所述导电层，并与所述导电层电性连接。

5.如权利要求3所述的非易失性存储器，其特征在于，所述介质层的材质包括氮化硅和氧化硅中的一种或其组合。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，还包括：

至少一第二侧墙，形成在所述第一尖端结构的上方并位于所述第一侧墙和所述字线之间。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器，其特征在于，所述浮置栅极的所述第二尖端结构往靠近所述漏掺杂区的方向凸出于所述第二侧墙的侧壁。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，还包括：

至少一第三侧墙，形成在所述浮置栅极靠近所述源掺杂区的侧壁上，所述源极线和所述浮置栅极之间间隔有所述第三侧墙。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，还包括：

至少一遂穿氧化层，覆盖所述浮置栅极和所述第一侧墙靠近所述漏掺杂区的侧壁，并延伸至所述衬底的顶表面上，以及所述字线形成在所述遂穿氧化层上。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述有源区沿着第一方向延伸，以及所述有源区的中间区域形成有所述源掺杂区，所述有源区的两个端部上均形成有所述漏掺杂区，并且在同一所述有源区上，所述源掺杂区与两个所述漏掺杂区之间均具有所述浮置栅极和所述字线以分别构成两个存储单元，以及所述两个存储单元之间具有所述源极线。