[发明专利]自旋存算一体芯片有效

专利信息
申请号: 201811635918.8 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109766309B 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 潘彪;康旺;赵巍胜 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G06F15/78 分类号: G06F15/78;G11C11/16
代理公司: 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 代理人: 李冉
地址: 100000*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种自旋存算一体芯片,包括:自旋阵列模块和外围电路;自旋阵列模块包括多个呈阵列分布的自旋存算器,用于数据的存储与计算;自旋存算器包括第一存储单元,由包含磁隧道结(MTJ)结构的磁随机存储器(MRAM)阵列组成,用于存储需要长时间保存的数据。外围电路与自旋阵列模块相连,用于辅助自旋阵列模块进行数据的存储与计算。本发明将MRAM内置到计算核心中,形成同时具有存储与计算功能的自旋存算核心,并通过多个独立自旋存算核心的互联形成自旋存算芯片,进一步通过多个芯片之间的互联形成处理终端。本发明有效解决传统计算构架下,数据传输与处理中存在的存储墙与功耗墙的问题,提高系统的计算能效。
搜索关键词: 自旋 一体 芯片
【主权项】:
1.一种自旋存算一体芯片,其特征在于,包括:自旋阵列模块和外围电路;所述自旋阵列模块与所述外围电路相连;所述外围电路用于辅助所述自旋阵列模块进行数据的存储与计算;所述自旋阵列模块包括阵列分布的一个以上的自旋存算器,相邻的所述自旋存算器之间相连并进行数据的传输,所述自旋存算器用于数据的存储与计算;其中,所述自旋存算器中包括第一存储单元,所述第一存储单元用于存储需要长时间保存的数据,所述第一存储单元为MRAM存储阵列。
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