[发明专利]减少高电压晶体管的数量的NAND闪存装置

摘要

本发明公开了减少高电压晶体管的数量的NAND闪存装置，包括：偶数位线；奇数位线；共源极线；存储阵列，包括偶单元串及奇单元串，偶单元串及奇单元串分别包括多个单元晶体管、源选择晶体管以及漏极选择晶体管，多个单元晶体管以NAND串的形态配置，源选择晶体管以使配置于多个单元晶体管一端的一侧接合部与共源极线相连接的方式驱动，漏极选择晶体管以使配置于多个单元晶体管另一端的一侧接合部与相对应的偶数位线及奇数位线相连接的方式驱动；偶放电晶体管，以使偶数位线与共源极线相连接的方式驱动；以及奇放电晶体管，以使奇数位线与共源极线相连接的方式驱动。本发明的NAND闪存装置通过减少高电压晶体管的数量来减少整体布局面积。

主权项

1.一种NAND闪存装置，其特征在于，包括：偶数位线；奇数位线；共源极线；存储阵列，包括偶单元串及奇单元串，上述偶单元串及上述奇单元串分别包括多个单元晶体管、源选择晶体管以及漏极选择晶体管，上述多个单元晶体管以NAND串的形态配置，上述源选择晶体管响应于源选择信号来以使配置于上述多个单元晶体管的一端的上述单元晶体管的一侧接合部与上述共源极线相连接的方式驱动，上述漏极选择晶体管响应于漏极选择信号来以使配置于上述多个单元晶体管的另一端的上述单元晶体管的一侧接合部与相对应的上述偶数位线及奇数位线相连接的方式驱动；偶放电晶体管，响应于偶放电信号来以使上述偶数位线与上述共源极线相连接的方式驱动；以及奇放电晶体管，响应于奇放电信号来以使上述奇数位线与上述共源极线相连接的方式驱动。