[发明专利]减少高电压晶体管的数量的NAND闪存装置

权利要求书

1.一种NAND闪存装置，其特征在于，包括：

偶数位线；

奇数位线；

共源极线；

存储阵列，包括偶单元串及奇单元串，上述偶单元串及上述奇单元串分别包括多个单元晶体管、源选择晶体管以及漏极选择晶体管，上述多个单元晶体管以NAND串的形态配置，上述源选择晶体管响应于源选择信号来以使配置于上述多个单元晶体管的一端的上述单元晶体管的一侧接合部与上述共源极线相连接的方式驱动，上述漏极选择晶体管响应于漏极选择信号来以使配置于上述多个单元晶体管的另一端的上述单元晶体管的一侧接合部与相对应的上述偶数位线及奇数位线相连接的方式驱动；

偶放电晶体管，响应于偶放电信号并且所述偶放电晶体管的一侧接合部连接到所述偶数位线；以及

奇放电晶体管，响应于奇放电信号并且所述奇放电晶体管的一侧接合部连接到所述奇数位线，

其中所述偶放电晶体管的另一侧接合部和所述奇放电晶体管的另一侧接合部分别连接到所述共源极线。

2.根据权利要求1所述的NAND闪存装置，其特征在于，上述偶放电晶体管及上述奇放电晶体管的栅极膜以具有与上述源选择晶体管的栅极膜及上述漏极选择晶体管的栅极膜的厚度相同的厚度的方式形成。

3.根据权利要求1所述的NAND闪存装置，其特征在于，上述NAND闪存装置还包括：

偶选择晶体管，一侧接合部与上述偶数位线相连接并响应于偶选择信号来打开，以具有比上述偶放电晶体管更厚的栅极膜的方式形成；

奇选择晶体管，一侧接合部与上述奇数位线相连接并响应于奇选择信号来打开，以具有比上述奇放电晶体管更厚的栅极膜的方式形成；以及

分页缓冲器，以存储通过上述偶选择晶体管及上述奇选择晶体管传输的上述偶数位线的信号及上述奇数位线的信号的方式驱动。

4.根据权利要求3所述的NAND闪存装置，其特征在于，上述分页缓冲器以能够对上述偶数位线及上述奇数位线的电荷进行放电的方式驱动。