[发明专利]SOI二极管有效
| 申请号： | 201811632266.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109599441B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 浦珺慧 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI二极管,硅衬底层的中部上方形成有二氧化硅中间层；二氧化硅中间层上方形成有上部硅层；上部硅层沿横向为依次邻接的上部P型注入区、体区及上部N型注入区；上部硅层、二氧化硅中间层在横向与硅衬底层由浅沟槽隔离区隔离；多晶硅栅形成于体区正上方，并且通过绝缘介质层同上部硅层隔离；上部P型注入区侧的硅衬底层形成有衬底P型注入区，并且上部P型注入区同衬底P型注入区互联短接；上部N型注入区侧的硅衬底层形成有衬底N型注入区，并且上部N型注入区同衬底N型注入区互联短接。本发明的SOI二极管，具有较小器件尺寸和较低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | soi 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种SOI二极管,其特征在于，硅衬底层的中部上方形成有二氧化硅中间层(203)；二氧化硅中间层(203)上方形成有上部硅层；上部硅层沿横向为依次邻接的上部P型注入区(204)、体区(206)及上部N型注入区(205)；上部硅层、二氧化硅中间层(203)在横向与硅衬底层(200)由浅沟槽隔离区(214)隔离；多晶硅栅(213)形成于体区(206)正上方，并且通过绝缘介质层同上部硅层隔离；上部P型注入区(204)侧的硅衬底层(200)形成有衬底P型注入区(201)，并且上部P型注入区(204)同衬底P型注入区(201)互联短接；上部N型注入区(205)侧的硅衬底层(200)形成有衬底N型注入区(202)，并且上部N型注入区(205)同衬底N型注入区(202)互联短接。
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