[发明专利]SOI二极管有效
| 申请号： | 201811632266.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109599441B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 浦珺慧 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 二极管 | ||
1.一种SOI二极管,其特征在于，硅衬底层的中部上方形成有二氧化硅中间层(203)；二氧化硅中间层(203)上方形成有上部硅层；
上部硅层沿横向为依次邻接的上部P型注入区(204)、体区(206)及上部N型注入区(205)；
上部硅层、二氧化硅中间层(203)在横向与硅衬底层(200)由浅沟槽隔离区(214)隔离；
多晶硅栅(213)形成于体区(206)正上方，并且通过绝缘介质层同上部硅层隔离；
上部P型注入区(204)侧的硅衬底层(200)形成有衬底P型注入区(201)，并且上部P型注入区(204)同衬底P型注入区(201)互联短接；
上部N型注入区(205)侧的硅衬底层(200)形成有衬底N型注入区(202)，并且上部N型注入区(205)同衬底N型注入区(202)互联短接。
2.根据权利要求1所述的SOI二极管,其特征在于，
多晶硅栅(213)的横向两端同上部硅层间分别形成有侧墙212。
3.根据权利要求1所述的SOI二极管,其特征在于，
多晶硅栅(213)悬空。
4.根据权利要求1所述的SOI二极管,其特征在于，
多晶硅栅(213)与衬底P型注入区(201)短接互联。
5.根据权利要求1所述的SOI二极管,其特征在于，
多晶硅栅(213)与衬底N型注入区(202)短接互联。
6.根据权利要求1所述的SOI二极管,其特征在于，
所述上部硅层的厚度为0.01μm～1μm。
7.根据权利要求1所述的SOI二极管,其特征在于，
所述二氧化硅中间层(203)的厚度为0.005μm～1.5μm。
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