[发明专利]NAND flash栅形成方法

摘要

本发明公开了一种采用自对准双重成像技术(SADP)实现的NAND flash栅形成方法，包括：在SADP制程定义最小操作擦写读单元时，将定义的最小操作擦写读单元区域延伸到选择栅区域，定义硬掩膜窗口的过程中将选择栅区域形成的自对准双重图形去除，光刻形成选择栅图形。本发明能去除最小操作擦写读单元区阵列边缘外围一根line负载作用带来的关键尺寸异常，能够较好的形成最小操作擦写读单元图形和选择栅图形。

主权项

1.一种NAND flash栅形成方法,采用自对准双重成像技术(SADP)实现，其特征在于，包括以下步骤：1)形成最小操作擦写读单元(CELL)区域有源区的核心图形，并将曝光区域延伸到选择栅(SG)区域；2)形成隔离侧墙，去除最小操作擦写读单元(CELL)区域的多晶硅层和部分隔离侧墙，完成自对准双重成像图形(SADP pattern)定义；3)在制作掩膜结构窗口过程中，消除选择栅(SG)区域的自对准双重图形；4)形成掩膜结构，去除部分掩膜结构初步形成选择栅(SG)刻蚀窗口；5)光刻去除初步形成选择栅(SG)刻蚀窗口处的全部掩膜结构，保留初步形成选择栅(SG)刻蚀窗口以外区域的部分掩膜结构，最终形成选择栅(SG)刻蚀窗口；6)将选择栅(SG)区域刻蚀形成两个选择栅(SG),刻蚀去除选择栅(SG)区域剩余的掩膜结构，并将最小操作擦写读单元(CELL)区域剩余的掩膜结构全部去除，完成最小操作擦写读单元(CELL)区域和选择栅(SG)区域图形定义；7)最小操作擦写读单元(CELL)区域和选择栅(SG)区域分别以各自区域的HM为硬掩膜版进行下层(layer)刻蚀，最终形成最小操作擦写读单元(CELL)区域和选择栅(SG)区域的栅。