[发明专利]NAND flash栅形成方法

权利要求书

1.一种NAND flash栅形成方法,采用自对准双重成像技术(SADP)实现，其特征在于，包括以下步骤：

1)形成最小操作擦写读单元(CELL)区域有源区的核心图形，并将曝光区域延伸到选择栅(SG)区域；

2)形成隔离侧墙，去除最小操作擦写读单元(CELL)区域的多晶硅层和部分隔离侧墙，完成自对准双重成像图形(SADP pattern)定义；

3)在制作掩膜结构窗口过程中，消除选择栅(SG)区域的自对准双重图形；

4)形成掩膜结构，去除部分掩膜结构初步形成选择栅(SG)刻蚀窗口；

5)光刻去除初步形成选择栅(SG)刻蚀窗口处的全部掩膜结构，保留初步形成选择栅(SG)刻蚀窗口以外区域的部分掩膜结构，最终形成选择栅(SG)刻蚀窗口；

6)将选择栅(SG)区域刻蚀形成两个选择栅(SG),刻蚀去除选择栅(SG)区域剩余的掩膜结构，并将最小操作擦写读单元(CELL)区域剩余的掩膜结构全部去除，完成最小操作擦写读单元(CELL)区域和选择栅(SG)区域图形定义；

7)最小操作擦写读单元(CELL)区域和选择栅(SG)区域分别以各自区域的硬掩模为硬掩膜版进行下层(layer)刻蚀，最终形成最小操作擦写读单元(CELL)区域和选择栅(SG)区域的栅。

2.如权利要求1所述的NAND flash栅形成方法,其特征在于：所述NAND是2X NAND。

3.如权利要求1所述的NAND flash栅形成方法,其特征在于：实施步骤1)时，利用光刻和干法刻蚀形成最小操作擦写读单元(CELL)区域有源区的核心图形，并将曝光区域延伸到选择栅(SG)区域。

4.如权利要求1所述的NAND flash栅形成方法,其特征在于：实施步骤2)时，利用原子层沉积形成隔离侧墙，刻蚀去除最小操作擦写读单元(CELL)区域的多晶硅层和部分隔离侧墙，完成自对准双重成像图形(SADP pattern)定义。

5.如权利要求1所述的NAND flash栅形成方法,其特征在于：实施步骤4)时，掩膜结构是三层(tri-layer)结构，所述三层结构是自上而下顺序布置光刻胶(PR)、防反射膜(Si-ARC)和旋涂碳(SOC)。

6.如权利要求5所述的NAND flash栅形成方法,其特征在于：实施步骤4)时，去除选择栅(SG)区域的光刻胶(PR)初步形成选择栅(SG)刻蚀窗口。

7.如权利要求1所述的NAND flash栅形成方法,其特征在于：实施步骤5)时，保留部分掩膜结构是减薄的防反射膜(Si-ARC)，以及全部旋涂碳(SOC)。

8.如权利要求1所述的NAND flash栅形成方法,其特征在于：实施步骤6)时，最小操作擦写读单元(CELL)区域剩余的掩膜结构是旋涂碳(SOC)。

9.如权利要求8所述的NAND flash栅形成方法,其特征在于：实施步骤6)时，采用N_2、O_2、或CO₂去除旋涂碳(SOC)。