[发明专利]一种用特征向量归类孔层的OPC方法有效
| 申请号: | 201811630157.7 | 申请日: | 2018-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN109459912B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
| 发明(设计)人: | 李林;陈燕鹏;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供一种用特征向量归类孔层的OPC方法,包括:基准孔和其周围的其他孔,构建每个基准孔和其周围其他孔的角度和距离的特征向量,用于描述相邻孔之间的位置关系,根据每个孔周围的距离和角度进行归类。本发明能够在非投影情况下,实现接触孔和连接孔的筛选及归类,舍弃传统的投影长度,引入角度变量,使用EDA程式反馈每个孔的角度及距离的特征向量,解决了由于本身的CD决定了投影长度很小,而大量的图形是非投影的情况。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 特征向量 归类 opc 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用特征向量归类孔层的OPC方法,其特征在于,该方法至少包括:步骤一、提供一基准孔,以该基准孔为原点建立直角坐标系,该直角坐标系的横轴x正向定义为东,横轴x负向定义为西,纵轴y正向定义为北,纵轴y负向定义为南;被所述横纵轴划分的第一至第四象限分别依次表示为NE、NW、SW、SE;所述横轴x正向、横轴x负向、纵轴y正向和纵轴y负向分别依次用RM、LM、TM、BM表示;步骤二、落在所述第一至第四象限内的其他孔与所述基准孔的方位关系分别依次用SW2NE、SE2NW、NE2SW、NW2SE四个方位参数描述;落在所述横轴x正向、横轴x负向、纵轴y正向和纵轴y负向上的其他孔与所述基准孔的方位关系分别依次用LM2RM、RM2LM、BM2TM、TM2BM四个方位参数描述;步骤三、所述每个方位参数包含距离L和角度θ两个变量;所述角度变量的计算公式为:
(dx、dy分别为所述其他孔在横轴x和纵轴y方向的投影);所述方位参数SW2NE、SE2NW、NE2SW、NW2SE、LM2RM、BM2TM、RM2LM、TM2BM对应的距离变量依次为L010、L011、L012、L013、L014、L015、L016、L017;以及所述方位参数SW2NE、SE2NW、NE2SW、NW2SE、LM2RM、BM2TM、RM2LM、TM2BM对应的角度变量依次为θ010、θ011、θ012、θ013、θ014、θ015、θ016、θ017;步骤四、所述方位参数SW2NE、SE2NW、NE2SW、NW2SE、LM2RM、BM2TM、RM2LM、TM2BM依次对应的距离变量和其依次对应的角度变量分别生成两个特征向量{L010,L011,L012,L013,L014,L015,L016,L017}和{θ010,θ011,θ012,θ013,θ014,θ015,θ016,θ017};所述两个特征向量联合定义所述基准孔与其周围其他孔的位置关系。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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