[发明专利]发光二极管的外延片生长装置有效
| 申请号: | 201811625806.4 | 申请日: | 2018-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN109536931B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
| 发明(设计)人: | 王国行;刘华明;胡加辉;李鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种发光二极管的外延片生长装置。该生长装置包括气源、真空发生器、反应室、开关阀和排气阀,气源与开关阀的进气口连通,开关阀的出气口与真空发生器的进气口连通,真空发生器的抽气口与排气阀的出气口连通,排气阀的进气口与反应室连通。在开关阀和排气阀都开启时,通过气源向真空发生器的进气口提供气流,真空发生器的抽气口气压降低,反应室内的气体被抽出,随同气流喷出真空发生器的出气口,这样就可以降低反应室内的气压,使反应室内形成负压,在达到所要求的压力时,关闭排气阀,反应室内的气压维持在恒定状态,同时可以关闭开关阀,停止向真空发生器提供气流,这样不需要继续提供能量来维持反应室的负压环境,节省了能源。 | ||
| 搜索关键词: | 发光二极管 外延 生长 装置 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管的外延片生长装置,其特征在于,包括气源(10)、真空发生器(20)、反应室(30)、开关阀(40)和排气阀(50),所述气源(10)与所述开关阀(40)的进气口连通,所述开关阀(40)的出气口与所述真空发生器(20)的进气口连通,所述真空发生器(20)的抽气口与所述排气阀(50)的出气口连通,所述排气阀(50)的进气口与所述反应室(30)连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





