[发明专利]发光二极管的外延片生长装置有效
| 申请号: | 201811625806.4 | 申请日: | 2018-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN109536931B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
| 发明(设计)人: | 王国行;刘华明;胡加辉;李鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 外延 生长 装置 | ||
1.一种发光二极管的外延片生长装置,其特征在于,包括气源(10)、真空发生器(20)、反应室(30)、开关阀(40)、排气阀(50)和控制器(60),所述开关阀(40)和所述排气阀(50)均为气动阀,且均采用所述气源(10)为驱动动力,所述气源(10)与所述开关阀(40)的进气口连通,所述开关阀(40)的出气口与所述真空发生器(20)的进气口连通,所述真空发生器(20)的抽气口与所述排气阀(50)的出气口连通,所述排气阀(50)的进气口与所述反应室(30)连通,所述控制器(60)与所述开关阀(40)和所述排气阀(50)连通;
所述控制器(60)用于当所述反应室(30)内的压力上升到第一预设阈值时控制所述开关阀(40)导通,在所述开关阀(40)导通0.1s~1s后控制所述排气阀(50)导通;
当所述反应室(30)内的压力下降到第二预设阈值时,控制所述排气阀(50)关闭,在所述排气阀(50)关闭0.1s~1s后控制所述开关阀(40)关闭,所述第二预设阈值小于所述第一预设阈值。
2.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述反应室(30)连通有第一压力表(70)。
3.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述气源(10)与所述开关阀(40)之间连接有第二压力表(80)。
4.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述生长装置还包括废气回收罐(90),所述废气回收罐(90)与所述真空发生器(20)的出气口连通。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





