[发明专利]发光二极管的外延片生长装置有效

专利信息
申请号: 201811625806.4 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN109536931B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 王国行;刘华明;胡加辉;李鹏 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: C23C16/54 分类号: C23C16/54
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 徐立
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 外延 生长 装置
【权利要求书】:

1.一种发光二极管的外延片生长装置,其特征在于,包括气源(10)、真空发生器(20)、反应室(30)、开关阀(40)、排气阀(50)和控制器(60),所述开关阀(40)和所述排气阀(50)均为气动阀,且均采用所述气源(10)为驱动动力,所述气源(10)与所述开关阀(40)的进气口连通,所述开关阀(40)的出气口与所述真空发生器(20)的进气口连通,所述真空发生器(20)的抽气口与所述排气阀(50)的出气口连通,所述排气阀(50)的进气口与所述反应室(30)连通,所述控制器(60)与所述开关阀(40)和所述排气阀(50)连通;

所述控制器(60)用于当所述反应室(30)内的压力上升到第一预设阈值时控制所述开关阀(40)导通,在所述开关阀(40)导通0.1s~1s后控制所述排气阀(50)导通;

当所述反应室(30)内的压力下降到第二预设阈值时,控制所述排气阀(50)关闭,在所述排气阀(50)关闭0.1s~1s后控制所述开关阀(40)关闭,所述第二预设阈值小于所述第一预设阈值。

2.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述反应室(30)连通有第一压力表(70)。

3.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述气源(10)与所述开关阀(40)之间连接有第二压力表(80)。

4.根据权利要求1所述的生长装置,其特征在于,所述生长装置还包括废气回收罐(90),所述废气回收罐(90)与所述真空发生器(20)的出气口连通。

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