[发明专利]一种SOC芯片测试方法有效
| 申请号： | 201811623266.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109801853B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 熊忠应;祁建华;马健;吴勇佳;季海英;罗斌 | 申请（专利权）人： | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海海贝律师事务所 31301 | 代理人： | 范海燕 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOC芯片测试方法，该方法包括的步骤为：将SOC芯片原先用于MBIST的内嵌SRAM模块剥离出来单独设计，并按照SOC芯片制程标准流片，制备成工程wafer；对所述工程wafer进行CP，收集并分析相关测试数据；若分析结果合格，按工程分析得到的制程标准对整个SOC芯片流片试量产并跳过CP直接封装。本发明通过跳过SOC芯片CP阶段，单独制备SRAM工程分析wafer，对该wafer进行缺陷的定位分析，实质是测试数据的转换，精准找到物性地址后确认工艺缺陷，通过调整修正制程参数以消除，整个过程中有效的节省了制造成本以及提升了工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soc 芯片 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOC芯片测试优选方法，其特征在于该方法包括以下步骤：将SOC芯片原先用于MBIST的内嵌SRAM模块剥离出来单独设计，并按照SOC芯片制程标准流片，制备成工程wafer；对所述工程wafer进行CP，收集并分析相关测试数据；若分析结果合格，按工程分析得到的制程标准对整个SOC芯片流片试量产并跳过CP直接封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
