[发明专利]一种SOC芯片测试方法有效
| 申请号： | 201811623266.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109801853B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 熊忠应;祁建华;马健;吴勇佳;季海英;罗斌 | 申请（专利权）人： | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海海贝律师事务所 31301 | 代理人： | 范海燕 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 soc 芯片 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SOC芯片测试方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
将SOC芯片原先用于MBIST的内嵌SRAM模块剥离出来单独设计，并按照SOC芯片制程标准流片，制备成工程wafer；
对所述工程wafer进行晶圆测试，收集并分析相关测试数据；
若分析结果合格，按SOC芯片制程标准对整个SOC芯片流片试量产并跳过晶圆测试直接封装。
2.根据权利要求1所述的一种SOC芯片测试方法，其特征在于：分析所述工程wafer进行晶圆测试数据按照输出失效位的时间记录-电性地址-物性地址的顺序找出缺陷并调整制程参数。
3.根据权利要求2所述的一种SOC芯片测试方法，其特征在于：反复进行晶圆测试及缺陷分析调整参数，最终达到预定良率和相关指标，安排初定制程参数的所述工程wafer封装。
4.根据权利要求3所述的一种SOC芯片测试方法，其特征在于：对所述工程wafer进行成品测试以及相关的失效分析。
5.根据权利要求1所述的一种SOC芯片测试方法，其特征在于：对封装之后的SOC芯片进行成品测试以及相关的失效分析。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
