[发明专利]MOS器件的制作方法

摘要

本发明提供了一种MOS器件的制作方法。该制作方法包括以下步骤：在衬底上形成栅极，在衬底的第一区域和第三区域中形成第一重掺杂区，并去除位于第三区域中的部分第一重掺杂区，第三区域中剩余的第一重掺杂区构成第一源区部，第一区域中的第一重掺杂区构成漏区，衬底的第二区域构成沟道区；在被去除的第三区域中形成第二重掺杂区，第二重掺杂区与第一源区部接触，且第二重掺杂区与第一重掺杂区的掺杂类型相反；去除第一源区部中与第二重掺杂区接触的部分以形成隔离区域，剩余的第一源区部构成第二源区部，在隔离区域中形成分别与第二源区部和第二重掺杂区接触的金属区域，第二源区部、金属区域以及第二重掺杂区构成源区。

主权项

1.一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供衬底(10)，并在所述衬底(10)上形成栅极(20)，所述衬底(10)具有位于所述栅极(20)下方且顺次连接的第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域位于与所述栅极(20)对应的所述衬底(10)中，所述第二区域和所述第三区域位于所述栅极(20)两侧的所述衬底(10)中；S2，在所述第一区域和所述第三区域中形成第一重掺杂区(40)，并去除位于所述第三区域中的部分所述第一重掺杂区(40)，所述第三区域中剩余的所述第一重掺杂区(40)构成第一源区部(420)，所述第一区域中的所述第一重掺杂区(40)构成漏区(410)，所述第二区域构成沟道区(50)；S3，在被去除的所述第三区域中形成第二重掺杂区(80)，所述第二重掺杂区(80)与所述第一源区部(420)接触，且所述第二重掺杂区(80)与所述第一重掺杂区(40)的掺杂类型相反；S4，去除所述第一源区部(420)中与所述第二重掺杂区(80)接触的部分以形成隔离区域(122)，剩余的所述第一源区部(420)构成第二源区部(430)，在所述隔离区域(122)中形成分别与所述第二源区部(430)和所述第二重掺杂区(80)接触的金属区域(130)，所述第二源区部(430)、所述金属区域(130)以及所述第二重掺杂区(80)构成源区。