[发明专利]MOS器件的制作方法

权利要求书

1.一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供衬底(10)，并在所述衬底(10)上形成栅极(20)，所述衬底(10)具有位于所述栅极(20)下方且顺次连接的第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域位于与所述栅极(20)对应的所述衬底(10)中，所述第一区域和所述第三区域位于所述栅极(20)两侧的所述衬底(10)中；

S2，在所述第一区域和所述第三区域中形成第一重掺杂区(40)，并去除位于所述第三区域中的部分所述第一重掺杂区(40)，所述第三区域中剩余的所述第一重掺杂区(40)构成第一源区部(420)，所述第一区域中的所述第一重掺杂区(40)构成漏区(410)，所述第二区域构成沟道区(50)；

S3，在被去除的所述第三区域中形成第二重掺杂区(80)，所述第二重掺杂区(80)与所述第一源区部(420)接触，且所述第二重掺杂区(80)与所述第一重掺杂区(40)的掺杂类型相反；

S4，去除所述第一源区部(420)中与所述第二重掺杂区(80)接触的部分以形成隔离区域(122)，剩余的所述第一源区部(420)构成第二源区部(430)，在所述隔离区域(122)中形成分别与所述第二源区部(430)和所述第二重掺杂区(80)接触的金属区域(130)，所述第二源区部(430)、所述金属区域(130)以及所述第二重掺杂区(80)构成源区，

所述步骤S2包括以下步骤：

S21，形成包裹所述栅极(20)的第一侧墙(30)，并在位于所述第一侧墙(30)两侧的所述衬底(10)中形成所述第一重掺杂区(40)；

S22，将侧墙材料包裹在所述第一侧墙(30)表面形成第二侧墙(60)，并形成覆盖所述第二侧墙(60)和所述第一重掺杂区(40)的第一掩膜预备层(710)；

S23，刻蚀所述第一掩膜预备层(710)中与所述第三区域接触的部分，以使所述第三区域中的部分所述第一重掺杂区(40)的表面裸露，得到第一裸露表面，剩余的所述第一掩膜预备层(710)构成第一掩膜层(70)；

S24，从所述第一裸露表面开始刻蚀所述第一重掺杂区(40)，以得到所述漏区(410)和所述第一源区部(420)。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一重掺杂区(40)和所述第二重掺杂区(80)的掺杂浓度独立地选自10¹⁵～10²⁰cm^-3。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，沿所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域顺次排列的方向上所述第二源区部(430)的宽度为2～20nm。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，沿所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域顺次排列的方向上所述金属区域(130)的宽度为1～20nm。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述金属区域(130)的材料选自Ag、Au和W中的任一种或多种。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底(10)为SOI。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底(10)为SOI，包括顺序层叠的顶层硅(101)、埋氧层(102)和底层硅(103)，在所述步骤S21中，在所述顶层硅(101)中形成所述第一重掺杂区(40)；在所述步骤S22中，在所述衬底(10)上沉积氮化硅以形成所述第一掩膜预备层(710)；在所述步骤S24中，干法刻蚀所述第一重掺杂区(40)，以使所述埋氧层(102)的部分表面裸露。