[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201811615770.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109742087B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 卢改平;唐维;黄建龙 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括：基层、第一薄膜晶体管结构层、平坦层、平坦层凹槽以及第二薄膜晶体管结构层。所述阵列基板的制备方法包括：基层设置步骤、第一薄膜晶体管结构层制备步骤、平坦层制备步骤、平坦层开槽步骤以及第二薄膜晶体管结构层制备步骤。本发明的技术效果在于，保护密集的金属走线，防止PI涂布精度差等情况。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：一基层，包括显示区及扇出区；一第一薄膜晶体管结构层，贴附于所述基层的一侧表面；一平坦层，贴附于所述第一薄膜晶体管结构层远离所述基层的一侧表面；一平坦层凹槽，下凹于所述平坦层的扇出区；以及一第二薄膜晶体管结构层，贴附于所述平坦层远离所述第一薄膜晶体管结构层的一侧表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
