[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 201811615770.1 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109742087B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 卢改平;唐维;黄建龙 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法,所述阵列基板包括:基层、第一薄膜晶体管结构层、平坦层、平坦层凹槽以及第二薄膜晶体管结构层。所述阵列基板的制备方法包括:基层设置步骤、第一薄膜晶体管结构层制备步骤、平坦层制备步骤、平坦层开槽步骤以及第二薄膜晶体管结构层制备步骤。本发明的技术效果在于,保护密集的金属走线,防止PI涂布精度差等情况。
技术领域
本发明涉及显示器领域,特别涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
如图1所示,在小尺寸的LCD面板行业中,PI涂布采用APR版转印的方式进行涂布,涂布原理为:利用APR板转印的方式涂布配向材料Polyimide,具体步骤如下:
1.利用压力将PI液通过堵孔(Nozzle)滴在网纹辊300(Anilox Roll)上;
2.用刮刀400(Doctor Blade)将网纹辊上的PI液整平;
3.APR板上的圆型凸出物将网纹辊凹槽内PI挤压出来并带走;
4.将APR板上PI均匀转印到基板100上,形成液晶配向层200。
PI涂布的质量主要指PI涂布精度,PI膜厚以及PI膜层的平坦度等,其中PI精度最为重要。PI精度一般指PI边界到AA区距离以及距离的波动性,PI精度如果控制不好会引起各种不良,如PI精度过小会导致PI edge(或hale区)进入AA区,引起漏光或者周边显示器亮度不均匀(Mura);PI精度过大容易导致IC侧PI涂布到Ag点或者IC output pin,从而导致电路无法导通。
如图2、3所示,现有的阵列基板包括显示区500及扇出区600,显示区500包括平坦层沟槽510,端子侧扇出区600金属走线610密集,为了保护金属走线610不被压伤,防止水汽进入导致阵列基板高温高湿现象,平坦层无法做开槽处理。
随着面板窄边框化,端子侧PI涂布距离IC Pin等有用图形越来越近,这样对于PI涂布精度要求越来越高;针对PI涂布精度过差的问题:面板设计PLN沟槽可做为PI缓冲,改善PI精度过大回流至IC侧有用图形区域,但受限于端子侧扇出区金属走线较多,需平坦层保护,防止水汽及压伤而导致平坦层无法开槽等问题。
发明内容
本发明的目的在于,解决现有技术中PI涂布精度差、金属走线易受损、平坦层无法开槽等技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种阵列基板,包括:一基层,包括显示区及扇出区;一第一薄膜晶体管结构层,贴附于所述基层的一侧表面;一平坦层,贴附于所述第一薄膜晶体管结构层远离所述基层的一侧表面;一平坦层凹槽,下凹于所述平坦层的扇出区;以及一第二薄膜晶体管结构层,贴附于所述平坦层远离所述第一薄膜晶体管结构层的一侧表面。
进一步地,所述第一薄膜晶体管结构层包括:一遮光层,贴附于部分基层的显示区一侧表面;一缓冲层,贴附于所述遮光层及剩余基层的一侧表面;一半导体层,贴附于部分缓冲层的显示区远离所述基层的一侧表面;一第一绝缘层,贴附于所述半导体层及剩余缓冲层远离所述基层的一侧表面;一栅极层,贴附于部分第一绝缘层的显示区远离所述缓冲层的一侧表面;以及一第二绝缘层,贴附于所述栅极层及剩余第一绝缘层远离所述缓冲层的一侧表面。
进一步地,所述第一薄膜晶体管结构层还包括:二个第一过孔,贯穿所述第二绝缘层及所述第一绝缘层的上半部,所述第一过孔与所述半导体层相对设置;源极及漏极,设于所述第一过孔内及所述第一过孔侧壁延伸部上;以及金属走线,设于所述第二绝缘层的扇出区远离所述第一绝缘层的一侧表面。
进一步地,所述平坦层还包括一第二过孔,贯穿所述平坦层的显示区,且连接至所述漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的