[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 201811615770.1 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109742087B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 卢改平;唐维;黄建龙 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
S1基层设置步骤,设置一基层,所述基层包括显示区及扇出区;
S2第一薄膜晶体管结构层制备步骤,在所述基层上表面制备出一第一薄膜晶体管结构层,所述薄膜晶体管结构层包括同层设置的源极、漏极和金属走线,所述源极和所述漏极位于所述显示区内,所述金属走线位于所述扇出区内;
S3平坦层制备步骤,在所述第一薄膜晶体管结构层上表面制备出一平坦层;
S4平坦层开槽步骤,利用光罩处理所述平坦层,形成一平坦层凹槽及一第二过孔;以及
S5第二薄膜晶体管结构层制备步骤,在所述平坦层上表面制备出一第二薄膜晶体管结构层;
在所述平坦层开槽步骤中,
所述光罩包括第一开口和半透光的第二开口;
所述第一开口与所述漏极相对设置,形成一第二过孔;以及
所述第二开口与所述金属走线相对设置,形成一平坦层凹槽。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,
所述第一薄膜晶体管结构层制备步骤包括:
S21遮光层制备步骤,在所述基层的显示区上表面涂布一层遮光材料,形成一遮光层;
S22缓冲层制备步骤,在所述遮光层及剩余基层的上表面制备出一缓冲层;
S23半导体层制备步骤,在所述缓冲层的显示区上表面制备出一半导体层;
S24第一绝缘层制备步骤,在所述半导体层及剩余缓冲层上表面制备出一第一绝缘层;
S25栅极层制备步骤,在所述第一绝缘层的显示区上表面制备出一栅极层;
S26第二绝缘层制备步骤,在所述栅极层及剩余第一绝缘层的上表面制备出一第二绝缘层;
S27第一过孔开孔步骤,在所述第二绝缘层上表面开孔,形成第一过孔,贯穿于所述第二绝缘层及所述第一绝缘层的上半部,所述第一过孔位置与所述半导体层相对设置;
S28源漏极制备步骤,在所述第一绝缘层及所述第二绝缘层内制备所述源极及所述漏极;以及
S29金属走线制备步骤,在所述第二绝缘层的扇出区的上表面制备出所述金属走线。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,
所述第二薄膜晶体管结构层制备步骤包括:
S51电极层制备步骤,在所述平坦层上表面及所述平坦层凹槽内制备出一电极层;
S52钝化层制备步骤,在所述电极层上表面、所述第二过孔及所述平坦层凹槽内制备出一钝化层;以及
S53像素电极层制备步骤,在所述钝化层上表面制备出一像素电极层。
4.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,
所述半导体层制备步骤包括,
S231非晶硅层制备步骤,在所述缓冲层的显示区的上表面制备出一非晶硅层;
S232多晶硅层制备步骤,对所述非晶硅层进行镭射激光退火处理,形成以多晶硅层;以及
S233半导体层形成步骤,对所述多晶硅层进行离子掺杂,形成以半导体层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的