[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

S1基层设置步骤，设置一基层，所述基层包括显示区及扇出区；

S2第一薄膜晶体管结构层制备步骤，在所述基层上表面制备出一第一薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括同层设置的源极、漏极和金属走线，所述源极和所述漏极位于所述显示区内，所述金属走线位于所述扇出区内；

S3平坦层制备步骤，在所述第一薄膜晶体管结构层上表面制备出一平坦层；

S4平坦层开槽步骤，利用光罩处理所述平坦层，形成一平坦层凹槽及一第二过孔；以及

S5第二薄膜晶体管结构层制备步骤，在所述平坦层上表面制备出一第二薄膜晶体管结构层；

在所述平坦层开槽步骤中，

所述光罩包括第一开口和半透光的第二开口；

所述第一开口与所述漏极相对设置，形成一第二过孔；以及

所述第二开口与所述金属走线相对设置，形成一平坦层凹槽。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管结构层制备步骤包括：

S21遮光层制备步骤，在所述基层的显示区上表面涂布一层遮光材料，形成一遮光层；

S22缓冲层制备步骤，在所述遮光层及剩余基层的上表面制备出一缓冲层；

S23半导体层制备步骤，在所述缓冲层的显示区上表面制备出一半导体层；

S24第一绝缘层制备步骤，在所述半导体层及剩余缓冲层上表面制备出一第一绝缘层；

S25栅极层制备步骤，在所述第一绝缘层的显示区上表面制备出一栅极层；

S26第二绝缘层制备步骤，在所述栅极层及剩余第一绝缘层的上表面制备出一第二绝缘层；

S27第一过孔开孔步骤，在所述第二绝缘层上表面开孔，形成第一过孔，贯穿于所述第二绝缘层及所述第一绝缘层的上半部，所述第一过孔位置与所述半导体层相对设置；

S28源漏极制备步骤，在所述第一绝缘层及所述第二绝缘层内制备所述源极及所述漏极；以及

S29金属走线制备步骤，在所述第二绝缘层的扇出区的上表面制备出所述金属走线。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述第二薄膜晶体管结构层制备步骤包括：

S51电极层制备步骤，在所述平坦层上表面及所述平坦层凹槽内制备出一电极层；

S52钝化层制备步骤，在所述电极层上表面、所述第二过孔及所述平坦层凹槽内制备出一钝化层；以及

S53像素电极层制备步骤，在所述钝化层上表面制备出一像素电极层。

4.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述半导体层制备步骤包括，

S231非晶硅层制备步骤，在所述缓冲层的显示区的上表面制备出一非晶硅层；

S232多晶硅层制备步骤，对所述非晶硅层进行镭射激光退火处理，形成以多晶硅层；以及

S233半导体层形成步骤，对所述多晶硅层进行离子掺杂，形成以半导体层。