[发明专利]阵列基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811615770.1 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109742087B 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 卢改平;唐维;黄建龙 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:

S1基层设置步骤,设置一基层,所述基层包括显示区及扇出区;

S2第一薄膜晶体管结构层制备步骤,在所述基层上表面制备出一第一薄膜晶体管结构层,所述薄膜晶体管结构层包括同层设置的源极、漏极和金属走线,所述源极和所述漏极位于所述显示区内,所述金属走线位于所述扇出区内;

S3平坦层制备步骤,在所述第一薄膜晶体管结构层上表面制备出一平坦层;

S4平坦层开槽步骤,利用光罩处理所述平坦层,形成一平坦层凹槽及一第二过孔;以及

S5第二薄膜晶体管结构层制备步骤,在所述平坦层上表面制备出一第二薄膜晶体管结构层;

在所述平坦层开槽步骤中,

所述光罩包括第一开口和半透光的第二开口;

所述第一开口与所述漏极相对设置,形成一第二过孔;以及

所述第二开口与所述金属走线相对设置,形成一平坦层凹槽。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,

所述第一薄膜晶体管结构层制备步骤包括:

S21遮光层制备步骤,在所述基层的显示区上表面涂布一层遮光材料,形成一遮光层;

S22缓冲层制备步骤,在所述遮光层及剩余基层的上表面制备出一缓冲层;

S23半导体层制备步骤,在所述缓冲层的显示区上表面制备出一半导体层;

S24第一绝缘层制备步骤,在所述半导体层及剩余缓冲层上表面制备出一第一绝缘层;

S25栅极层制备步骤,在所述第一绝缘层的显示区上表面制备出一栅极层;

S26第二绝缘层制备步骤,在所述栅极层及剩余第一绝缘层的上表面制备出一第二绝缘层;

S27第一过孔开孔步骤,在所述第二绝缘层上表面开孔,形成第一过孔,贯穿于所述第二绝缘层及所述第一绝缘层的上半部,所述第一过孔位置与所述半导体层相对设置;

S28源漏极制备步骤,在所述第一绝缘层及所述第二绝缘层内制备所述源极及所述漏极;以及

S29金属走线制备步骤,在所述第二绝缘层的扇出区的上表面制备出所述金属走线。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,

所述第二薄膜晶体管结构层制备步骤包括:

S51电极层制备步骤,在所述平坦层上表面及所述平坦层凹槽内制备出一电极层;

S52钝化层制备步骤,在所述电极层上表面、所述第二过孔及所述平坦层凹槽内制备出一钝化层;以及

S53像素电极层制备步骤,在所述钝化层上表面制备出一像素电极层。

4.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,

所述半导体层制备步骤包括,

S231非晶硅层制备步骤,在所述缓冲层的显示区的上表面制备出一非晶硅层;

S232多晶硅层制备步骤,对所述非晶硅层进行镭射激光退火处理,形成以多晶硅层;以及

S233半导体层形成步骤,对所述多晶硅层进行离子掺杂,形成以半导体层。

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