[发明专利]一种适用于超结DMOS器件的改良结构有效
| 申请号： | 201811611752.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109713041B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡少峰;任敏;高巍;宋炳炎;李科;陈凤甫;邓波 | 申请（专利权）人： | 四川立泰电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 629000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于超结DMOS器件的改良结构，属于电子器件优化技术领域，在超结DMOS器件的第一导电类型半导体掺杂衬底与金属化漏极的接触面上还设置有重掺杂的第二导电类型半导体岛区，所述重掺杂的第二导电类型半导体岛区构成器件底部空穴注入区，所述重掺杂的第二导电类型半导体岛区嵌入设置在第一导电类型半导体掺杂衬底中并且其底部与金属化漏极的上表面也相接触；并且第一导电类型掺杂柱区和第二导电类型半导体掺杂柱区下半部分区域的载流子寿命均长于上半部分区域的载流子寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 dmos 器件 改良 结构 | ||
【主权项】：
1.一种适用于超结DMOS器件的改良结构，其特征在于：在超结DMOS器件的第一导电类型半导体掺杂衬底（2）与金属化漏极的接触面上还设置有重掺杂的第二导电类型半导体岛区（3），所述重掺杂的第二导电类型半导体岛区（3）构成器件底部空穴注入区，所述重掺杂的第二导电类型半导体岛区（3）嵌入设置在第一导电类型半导体掺杂衬底（2）中并且其底部与金属化漏极的上表面也相接触；并且第一导电类型掺杂柱区（5）和第二导电类型半导体掺杂柱区（6）下半部分区域的载流子寿命均长于上半部分区域的载流子寿命。
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