[发明专利]晶体管结构有效
| 申请号： | 201811609713.2 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111384143B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 刘昇旭;黄世贤;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶体管结构，包含一基底，一栅极结构设置于基底上，一个六角形沟槽设置于栅极结构的一侧的基底内，一第一外延层包含第一型掺质设置于六角形沟槽中并且接触六角形沟槽，一第二外延层包含第二型掺质设置于六角形沟槽中，其中第一外延层在第二外延层的外侧，第二外延层作为晶体管结构的一源极/漏极掺杂区，第一型掺质和第二型掺质为不同导电型态。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
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