[发明专利]晶体管结构

权利要求书

1.一种晶体管结构，其特征在于，包含：

基底；

栅极结构，设置于该基底上；

六角形沟槽，设置于该栅极结构的一侧的该基底内；

第一外延层，包含第一型掺质，设置于该六角形沟槽中并且接触该六角形沟槽；以及

第二外延层，包含第二型掺质，设置于该六角形沟槽中，其中该第一外延层在该第二外延层的外侧，该第二外延层作为该晶体管结构的一源极/漏极掺杂区，该第一型掺质和该第二型掺质为不同导电型态，

其中该第一外延层包含三个外延块，各该外延块之间不相连，各该外延块分别位于该第二外延层的底部、右侧和左侧。

2.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该六角形沟槽具有斜面，该斜面的晶面指数为(111)。

3.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一外延层中不包含第二型掺质。

4.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第二外延层包含缓冲层、主应力层和上盖层，该缓冲层、该主应力层和该上盖层都包含该第二型掺质。

5.如权利要求4所述的晶体管结构，另包含间隙壁结构，位于该栅极结构的两侧，其中部分的该缓冲层和该间隙壁结构重叠。

6.如权利要求1所述的晶体管结构，其中部分的该第一外延层和该栅极结构重叠。

7.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该晶体管结构为P型晶体管，该第二型掺质包含硼(B)、铟(In)或镓(Ga)，该第一型掺质包含磷(P)、砷(As)或锑(Sb)。

8.如权利要求7所述的晶体管结构，其中该第一外延层为外延硅，第二外延层为硅锗。

9.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该晶体管结构为N型晶体管，该第二型掺质包含磷(P)、砷(As)或锑(Sb)，该第一型掺质包含硼(B)、铟(In)或镓(Ga)。

10.如权利要求9所述的晶体管结构，其中该第一外延层为外延硅或碳化硅，第二外延层为外延硅或碳化硅。

11.如权利要求1所述的晶体管结构，另包含掺杂阱，设置于该基底中，该掺杂阱包含第一型掺质，该栅极结构设置于该掺杂阱上，其中该第一外延层中的第一型掺质的浓度大于该掺杂阱中第一型掺质的浓度。