[发明专利]抗辐射功率MOSFET的外延结构及制造方法在审
| 申请号： | 201811601924.1 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109524471A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 赵建坤;罗志勇;赵丽新 | 申请（专利权）人： | 无锡浩真微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗辐射功率MOSFET的外延结构及制造方法。所述外延结构包括：背封层、硅衬底、缓冲外延层和二次外延层，所述硅衬底的背面上设置有所述背封层，所述硅衬底的正面设置有所述缓冲外延层，所述缓冲外延层上设置有所述二次外延层。实现外延层和硅衬底间的传输区的电场峰值低于二次击穿的电场峰值，改善诱生NPN管的二次击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 硅衬底 外延结构 缓冲 功率MOSFET 电场 二次击穿 背封层 抗辐射 正面设置 传输区 制造 背面 | ||
【主权项】：
1.一种抗辐射功率MOSFET的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：背封层（1）、硅衬底（2）、缓冲外延层（3）和二次外延层（4），所述硅衬底（2）的背面上设置有所述背封层（1），所述硅衬底（2）的正面设置有所述缓冲外延层（3），所述缓冲外延层（3）上设置有所述二次外延层（4）。
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