[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板和显示面板在审
| 申请号： | 201811597929.1 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109817576A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;杨凤云 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/324;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：预先形成阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、栅极和栅极绝缘层，以及图形化的非晶硅层、掺杂型非晶硅层和金属层；对所述阵列基板进行热处理；在进行热处理的时间大于第一预设时间时，在第二预设时间内利用氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理，所述第二预设时间在所述第一预设时间之后。本发明还公开了一种阵列基板以及显示面板。本发明通过减少阵列基板存在的弱键，以及增加阵列基板的照光稳定性，提高了薄膜晶体管阵列基板的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列基板 预设 非晶硅层 热处理 显示面板 掺杂型 制备 薄膜晶体管阵列基板 栅极绝缘层 衬底基板 预先形成 氮化物 金属层 图形化 弱键 照光 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：预先形成阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、栅极和栅极绝缘层，以及图形化的非晶硅层、掺杂型非晶硅层和金属层；对所述阵列基板进行热处理；在进行热处理的时间大于第一预设时间时，在第二预设时间内利用氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理，所述第二预设时间在所述第一预设时间之后。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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