[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板和显示面板在审
| 申请号： | 201811597929.1 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109817576A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;杨凤云 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/324;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列基板 预设 非晶硅层 热处理 显示面板 掺杂型 制备 薄膜晶体管阵列基板 栅极绝缘层 衬底基板 预先形成 氮化物 金属层 图形化 弱键 照光 | ||
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：
预先形成阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、栅极和栅极绝缘层，以及图形化的非晶硅层、掺杂型非晶硅层和金属层；
对所述阵列基板进行热处理；
在进行热处理的时间大于第一预设时间时，在第二预设时间内利用氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理，所述第二预设时间在所述第一预设时间之后。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在第二预设时间内利用氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理的步骤包括：
在所述第二预设时间内，利用氮气对所述掺杂型非晶硅层进行处理，所述第二预设时间的时间范围为1s-30s。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在第二预设时间内利用氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理的步骤包括：
在所述第二预设时间内，利用氨气对所述掺杂型非晶硅层进行处理，所述第二预设时间的时间范围为1s-30s。
4.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述阵列基板进行热处理的步骤之后，还包括：
在进行热处理的时间大于所述第一预设时间时，利用第一氮化物和第二氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理，所述第一预设时间的时间范围为1s-60s。
5.如权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述利用第一氮化物和第二氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理的步骤包括：
在第一处理时间内利用第一氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理，以及在第二处理时间内利用第二氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理。
6.如权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一处理时间和所述第二处理时间的起始时间点相同，其中，所述第一处理时间的时间范围为1s-30s，所述第二处理时间的时间范围为1s-20s。
7.如权利要求4-6中任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一氮化物为氮气。
8.如权利要求4-6中任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二氮化物为氨气。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求1至8中任一项所述的阵列基板的制备方法形成。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求9中所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
