[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板和显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：预先形成阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、栅极和栅极绝缘层，以及图形化的非晶硅层、掺杂型非晶硅层和金属层；对所述阵列基板进行热处理；在进行热处理的时间大于第一预设时间时，在第二预设时间内利用氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理，所述第二预设时间在所述第一预设时间之后。本发明还公开了一种阵列基板以及显示面板。本发明通过减少阵列基板存在的弱键，以及增加阵列基板的照光稳定性，提高了薄膜晶体管阵列基板的稳定性。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管领域，尤其涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板。

背景技术

液晶显示器现已成为市场主流，液晶显示单元为薄膜晶体管，薄膜晶体管主要由阵列基板阵列制备。在阵列基板中，为了提高金属层和非晶硅层之间的势能壁垒，一般会在金属层和非晶硅层之间形成一个掺杂型非晶硅层。而在目前的阵列基板的制备方法，在非晶硅层的上层上通常存在悬挂键和Si-H弱键，在受到光照时，弱键和悬挂键都容易使得薄膜晶体管的不稳定。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板，通过减少阵列基板存在的弱键，以及增加阵列基板的照光稳定性，提高了薄膜晶体管的稳定性。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：

预先形成阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、栅极和栅极绝缘层，以及图形化的非晶硅层、掺杂型非晶硅层和金属层；

对所述阵列基板进行热处理；

在进行热处理的时间大于第一预设时间时，在第二预设时间内利用氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理，所述第二预设时间在所述第一预设时间之后。

可选地，所述在第二预设时间内利用氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理的步骤包括：

在所述第二预设时间内，利用氮气对所述掺杂型非晶硅层进行处理。

可选地，所述在第二预设时间内利用氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理的步骤包括：

在所述第二预设时间内，利用氨气对所述掺杂型非晶硅层进行处理。

可选地，所述对所述阵列基板进行热处理的步骤之后，还包括：

在进行热处理的时间大于所述第一预设时间时，利用第一氮化物和第二氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理。

可选地，所述利用第一氮化物和第二氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理的步骤包括：

在第一处理时间内利用第一氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理，以及在第二处理时间内利用第二氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理。

可选地，所述第一处理时间和所述第二处理时间的起始时间点相同。

可选地，所述第一氮化物为氮气。

可选地，所述第二氮化物为氨气。

可选地，所述利用氮化物对所述掺杂型非晶硅层进行处理的步骤之后，还包括：

在处理完成后的所述阵列基板上形成钝化层，以制备阵列基板。

为实现上述目的，本发明还提供一种阵列基板，所述阵列基板由上述阵列基板的制备方法形成。

为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板，所述显示面板基于上述阵列基板制备形成。