[发明专利]具有空穴载流路径的IEGT及其构建方法有效
| 申请号： | 201811595355.4 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111370476B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 樱井建弥;吴磊 | 申请（专利权）人： | 上海睿驱微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有空穴载流路径的IEGT，该具有空穴载流路径的IEGT包括：发射极、n+型发射区、栅极、基极区、p型MOSFET管、n‑型漂移区、n+型缓冲区、p+型集电极区、以及集电极；n‑型漂移区的上方间隔设置基极区和栅极，p型MOSFET管设置在基极区，p型MOSFET管在IEGT的主沟槽栅极的导通时间期间截止，并且在主沟槽栅极的截止时间期间导通；除设置有p型MOSFET管的基极区以外的其它基极区表面的两侧设有n+型发射区，n+型发射区上方设有与n+型发射区连接的发射极；n‑型漂移区的下方设置n+型缓冲区，n+型缓冲区的下方设置p+型集电极区，p+型集电极区的下方连接集电极。本发明具有空穴载流路径的IEGT的通态电压及关断损耗均比较低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 空穴 路径 iegt 及其 构建 方法 | ||
【主权项】：
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