[发明专利]具有空穴载流路径的IEGT及其构建方法

权利要求书

1.一种具有空穴载流路径的注入增强型绝缘栅晶体管，包括：发射极、n+型发射区、栅极、基极区、p型MOSFET管、n-型漂移区、n+型缓冲区、p+型集电极区、以及集电极；

所述n-型漂移区的上方间隔设置所述基极区和栅极，所述p型MOSFET管设置在所述基极区，所述p型MOSFET管在注入增强型绝缘栅晶体管IEGT的主沟槽栅极的导通时间期间截止，并且在所述主沟槽栅极的截止时间期间导通；除设置有所述p型MOSFET管的所述基极区以外的其它基极区表面的两侧设有所述n+型发射区，所述n+型发射区上方设有与所述n+型发射区连接的所述发射极；

所述n-型漂移区的下方设置所述n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的下方设置所述p+型集电极区，所述p+型集电极区的下方连接所述集电极；

所述p型MOSFET管所在的基极区上方没有设置n+型发射区，设置有p+型基区，在所述IEGT的主沟槽栅极的导通时段期间，所述p型MOSFET管和空穴载流子的累积区域起作用，并且空穴载流子路径在截止期间流出到所述发射极电极。

2.如权利要求1所述的注入增强型绝缘栅晶体管，其特征在于，还包括：p+型基区；

各基极区两侧的所述n+型发射区之间设置有所述p+型基区；所述n+型发射区和p+型基区上方设有与所述n+型发射区连接的所述发射极。

3.如权利要求1所述的注入增强型绝缘栅晶体管，其特征在于，将所述基极区的掺杂浓度限制在7E15～1E16 cm³和将所述基极区的n层深度限制在0.7～1μm。

4.一种构建具有空穴载流路径的注入增强型绝缘栅晶体管的方法，其中所述注入增强型绝缘栅晶体管IEGT包括：发射极、n+型发射区、栅极、基极区、p型MOSFET管、n-型漂移区、n+型缓冲区、p+型集电极区、以及集电极，所述方法包括：

在所述n-型漂移区的上方间隔设置所述基极区和栅极，将所述p型MOSFET管设置在所述基极区，其中所述p型MOSFET管在所述IEGT的主沟槽栅极的导通时间期间截止，并且在所述主沟槽栅极的截止时间期间导通；

在除设置有所述p型MOSFET管的所述基极区以外的其它基极区表面的两侧设置所述n+型发射区，在所述n+型发射区上方设置与所述n+型发射区连接的所述发射极；以及

在所述n-型漂移区的下方设置所述n+型缓冲区，在所述n+型缓冲区的下方设置所述p+型集电极区，将所述p+型集电极区的下方连接所述集电极；

在所述p型MOSFET管所在的基极区上方不设置n+型发射区，而是设置p+型基区，在所述IEGT的主沟槽栅极的导通时段期间，所述p型MOSFET管和空穴载流子的累积区域起作用，并且空穴载流子路径在截止期间流出到所述发射极电极。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述注入增强型绝缘栅晶体管还包括：p+型基区；

各基极区两侧的所述n+型发射区之间设置有所述p+型基区；所述n+型发射区和p+型基区上方设有与所述n+型发射区连接的所述发射极。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，将所述基极区的掺杂浓度限制在7E15～1E16cm³和将所述基极区的n层深度限制在0.7～1μm。