[发明专利]一种薄膜太阳能电池改性方法及其制备的电池在审
| 申请号： | 201811594970.3 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111370510A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 瞿佳华 | 申请（专利权）人： | 华夏易能（广东）新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人： | 代治国 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术产业*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开提供一种薄膜太阳能电池改性方法及其制备的电池，涉及薄膜太阳能电池技术领域。该技术方案的具体步骤如下：提供薄膜太阳能电池的吸收层；提供卤化钠蒸发源，在所述吸收层上进行卤化钠膜层的沉积；提供卤化钾蒸发源，在所述吸收层上进行卤化钾膜层的沉积；其中，在硒气氛下进行所述卤化钠膜层和卤化钾膜层的沉积。该制备方法可以减少硫化镉薄膜的厚度，提高膜层晶体质量，同时在Se氛围下退火会极大的减少Se空位的产生，保证PN结的质量，提升光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳能电池 改性 方法 及其 制备 电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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