[发明专利]一种薄膜太阳能电池改性方法及其制备的电池

说明书

本公开提供一种薄膜太阳能电池改性方法及其制备的电池，涉及薄膜太阳能电池技术领域。该技术方案的具体步骤如下：提供薄膜太阳能电池的吸收层；提供卤化钠蒸发源，在所述吸收层上进行卤化钠膜层的沉积；提供卤化钾蒸发源，在所述吸收层上进行卤化钾膜层的沉积；其中，在硒气氛下进行所述卤化钠膜层和卤化钾膜层的沉积。该制备方法可以减少硫化镉薄膜的厚度，提高膜层晶体质量，同时在Se氛围下退火会极大的减少Se空位的产生，保证PN结的质量，提升光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种薄膜太阳能电池改性方法及其制备的电池。

背景技术

当前，薄膜太阳能电池的研究越来越深入，其中，薄膜结构对电池发电效率至关重要。在制备高效率的薄膜太阳能电池的结构中，吸收层是整个电池的核心膜层。在薄膜生成后，对其表面进行修饰和改性对吸收层的性质和整个组件效率提高有很大的促进作用。

然而，现有技术中对薄膜吸收层的表面修饰和改性效果不明显，并没有起到实质性的发电效率提升作用。

发明内容

为克服现有技术中存在的问题，本发明实施例提供一种在薄膜太阳能电池制造过程中，改善薄膜质量的制备方法。该技术方案的具体步骤如下：

提供薄膜太阳能电池的吸收层；

提供卤化钠蒸发源，在所述吸收层上进行卤化钠膜层的沉积；

提供卤化钾蒸发源，在所述吸收层上进行卤化钾膜层的沉积；

其中，在硒气氛下进行所述卤化钠膜层和卤化钾膜层的沉积。

在一些实施例中，所述卤化钠膜层和卤化钾膜层的沉积在真空条件下进行，所述真空度设置在10^-5至10^-7pa。

在一些实施例中，在所述卤化钠膜层和卤化钾膜层的沉积过程中，温度为300-320℃；

在一些实施例中，所述卤化钠蒸发源的温度为650-680℃。

在一些实施例中，所述卤化钠沉积的速率为5-8nm/min。

在一些实施例中，所述卤化钠膜层沉积的厚度为20-25nm。

在一些实施例中，在所述卤化钠沉积后，退火5-8min，退火温度为300-325℃。

在一些实施例中，所述卤化钾蒸发源的温度为750-780℃。

在一些实施例中，所述卤化钾沉积的速率为5-8nm/min。

在一些实施例中，所述卤化钾沉积薄膜的厚度为15-20nm。

进一步地，在一些实施例中，在沉积所述卤化钾膜层后，进行退火15-20min，退火温度为300-325℃。

在一些实施例中，所述吸收层设置在基底上，所述基底材料为玻璃、金属或树脂材料中的一种。

进一步地，本公开还提供一种根据上述方法制备的薄膜太阳能电池。

在一些实施例中，所述薄膜太阳能电池包括：

基底；

衬底，所述衬底设置在所述基底上；

吸收层，所述吸收层设置在所述衬底上，所述吸收层中包含有钠离子和钾离子；

进一步地，本公开还提供一种根据上述方法制备的薄膜太阳能电池，其特征在于：包括：

柔性衬底；

背电极层，设置于所述柔性衬底表面；

吸收层，设置于所述背电极层远离所述柔性衬底的表面；