[发明专利]一种薄膜太阳能电池改性方法及其制备的电池

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池改性方法，包括：

提供薄膜太阳能电池的吸收层；

提供卤化钠蒸发源，在所述吸收层上进行卤化钠膜层的沉积；

提供卤化钾蒸发源，在所述吸收层上进行卤化钾膜层的沉积；

其中，在硒气氛下进行所述卤化钠膜层和卤化钾膜层的沉积。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池改性方法，其特征在于：所述卤化钠膜层和卤化钾膜层的沉积在真空条件下进行，所述真空度设置在10^-5至10^-7pa。

3.根据权利要求1所述薄膜太阳能电池改性方法，其特征在于：在所述卤化钠膜层和卤化钾膜层的沉积过程中，温度为300-320℃。

4.根据权利要求1所述薄膜太阳能电池改性方法，其特征在于：所述卤化钠蒸发源的温度为650-680℃。

5.根据权利要求1-4中任一项所述薄膜太阳能电池改性方法，其特征在于：所述卤化钠沉积的速率为5-8nm/min。

6.根据权利要求1-4中任一项所述薄膜太阳能电池改性方法，其特征在于：所述卤化钠膜层沉积的厚度为20-25nm。

7.根据权利要求1-4中任一项所述薄膜太阳能电池改性方法，其特征在于：在沉积所述卤化钠膜层后，退火5-8min，退火温度为300-325℃。

8.根据权利要求1所述薄膜太阳能电池改性方法，其特征在于：所述卤化钾蒸发源的温度为750-780℃。

9.根据权利要求1或8所述薄膜太阳能电池改性方法，其特征在于：所述卤化钾沉积的速率为5-8nm/min。

10.根据权利要求1或8所述薄膜太阳能电池改性方法，其特征在于：所述卤化钾沉积薄膜的厚度为15-20nm。

11.根据权利要求1或8所述薄膜太阳能电池改性方法，其特征在于：在完成沉积所述卤化钾膜层后，进行退火15-20min，退火温度为300-325℃。

12.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池改性方法，其特征在于：所述吸收层设置在基板上，所述基板材料为玻璃、金属或树脂材料中的一种。

13.一种根据权利要求1-12中任一项所述方法制备的薄膜太阳能电池。

14.根据权利其要求13所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：包括：

基底；

衬底，所述衬底设置在所述基底上；

吸收层，所述吸收层设置在所述衬底上，所述吸收层中含有钠离子和钾离子。

15.根据权利其要求13所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：包括：

柔性衬底；

背电极层，设置于所述柔性衬底表面；

吸收层，设置于所述背电极层远离所述柔性衬底的表面；

缓冲层，设置于所述吸收层远离所述背电极层的表面；

高阻层，设置于所述缓冲层远离所述吸收层的表面；以及，

窗口层，设置于所述高阻层远离所述缓冲层的表面，所述窗口层包括层叠设置的氧化铟锡层和掺铝氧化锌层，所述氧化铟锡层覆盖于所述高阻层表面，所述掺铝氧化锌层远离所述氧化铟锡层的表面具有纳米结构阵列。