[发明专利]一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法、装置及应用在审
| 申请号： | 201811594353.3 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109569262A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 安军林;田润朝;曹岩德;周慧娟;乔琳琳;王海礼;魏东亮 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/81 | 分类号： | B01D53/81;B01D53/68;G01N33/00 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 代述波 |
| 地址： | 810007 青海*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅生产技术领域，公开了一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法，包括以下处理工序：收集，收集多晶硅尾气；冷凝，将收集到的多晶硅尾气进行冷凝处理，使其析出部分氯硅烷；吸收，将冷凝处理后的多晶硅尾气通过吸附剂，继续吸附除去尾气内残留的氯硅烷。还公开了一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，包括取样组件和深冷机构；所述取样组件上连接有管路，管路穿过深冷机构经冷却后连接有吸附组件，吸附组件内填充有吸附剂；所述吸附组件具有出口。本去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法及装置可以去除尾气中的氯硅烷，操作方便有效，能在检测尾气中痕量磷化氢气体含量时，保护检测装置，延长其使用寿命，降低检测成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅尾气 氯硅烷 去除 吸附组件 冷凝处理 取样组件 吸附剂 深冷 尾气 保护检测装置 多晶硅生产 析出 处理工序 检测尾气 使用寿命 痕量磷 氢气体 冷凝 吸附 填充 冷却 残留 穿过 检测 吸收 出口 应用 | ||
【主权项】：
1.一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法，其特征在于，包括以下处理工序：收集，收集多晶硅尾气；冷凝，将收集到的多晶硅尾气进行冷凝处理，使其析出部分氯硅烷；吸收，将冷凝处理后的多晶硅尾气通过吸附剂，继续吸附除去尾气内残留的氯硅烷。
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