[发明专利]一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法、装置及应用

权利要求书

1.一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法，其特征在于，包括以下处理工序：

收集，收集多晶硅尾气；

冷凝，将收集到的多晶硅尾气进行冷凝处理，使其析出部分氯硅烷；

吸收，将冷凝处理后的多晶硅尾气通过吸附剂，继续吸附除去尾气内残留的氯硅烷。

2.根据权利要求1所述的去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法，其特征在于，最后，收集经过吸收处理的多晶硅尾气。

3.如权利要求1、2中任一所述的去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法，多晶硅尾气经过该方法处理后，用于测定尾气中痕量磷化氢的含量。

4.一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，其特征在于，包括取样组件和深冷机构；所述取样组件上连接有管路，管路穿过深冷机构并经冷却后连接有吸附组件，吸附组件内填充有吸附剂；所述吸附组件具有出口。

5.根据权利要求4所述的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，其特征在于，所述吸附组件的出口连接有收集组件，收集组件与吸附组件之间连接有抽气泵；所述取样组件为取样袋，收集组件为收集袋。

6.根据权利要求4所述的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，其特征在于，所述吸附组件为容置筒，其一端为进口，另一端为出口；其内填充的吸附剂成分为NaOH。

7.根据权利要求4所述的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，其特征在于，所述深冷机构为冷阱装置，其具有制冷腔，制冷腔内盛装有冷媒，制冷腔外固定包覆有绝热层。

8.根据权利要求4所述的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，其特征在于，还包括连接在管路上，并设于取样组件与吸附组件之间的冷凝管，冷凝管置于深冷机构内。

9.根据权利要求4所述的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，其特征在于，还包括设于深冷机构内的测温计，测温计为温度传感器。

10.如权利要求4-9中任一所述的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，多晶硅尾气经过该装置处理后，用于测定尾气中痕量磷化氢的含量。