[发明专利]一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法、装置及应用

说明书

本发明涉及多晶硅生产技术领域，公开了一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法，包括以下处理工序：收集，收集多晶硅尾气；冷凝，将收集到的多晶硅尾气进行冷凝处理，使其析出部分氯硅烷；吸收，将冷凝处理后的多晶硅尾气通过吸附剂，继续吸附除去尾气内残留的氯硅烷。还公开了一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，包括取样组件和深冷机构；所述取样组件上连接有管路，管路穿过深冷机构经冷却后连接有吸附组件，吸附组件内填充有吸附剂；所述吸附组件具有出口。本去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法及装置可以去除尾气中的氯硅烷，操作方便有效，能在检测尾气中痕量磷化氢气体含量时，保护检测装置，延长其使用寿命，降低检测成本。

技术领域

本发明涉及多晶硅生产技术领域，特别是涉及一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法、装置及应用。

背景技术

电子级多晶硅是新一代信息技术产业和光伏产业的基础材料，随着高效太阳能电池技术的快速发展进步，对光伏用多晶硅的品质及外观提出了更高的要求。在多晶硅生产中，尾气中的杂质含量能够体现整个系统的洁净程度，其杂质主要有氯化物、硼化物、砷化物、磷化物、碳水化合物等。其中硼、磷化合物严重影响多晶硅产品质量，尤其影响电阻率的大小和稳定性。为此，通过对多晶硅生产过程中产生的磷化氢气体进行检测，测得硅片中磷的含量，从而对工艺进行监控和指导。关于检测，一般采用火焰光度检测器检测尾气中痕量磷化氢气体。而由于回收的尾气中含有一定量的HCl、SiH₂Cl₂、SiHCl₃和SiCl₄，尤其是氯硅烷气体的存在，会使检测器光电倍增管受到一定程度的损坏，导致检测结果不准确。因此，本发明提出了一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法及应用该方法的装置。

发明内容

本发明旨在提供一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法、装置及应用以解决现有技术中的上述技术问题。

本发明采用的技术方案为：

一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法，包括以下处理工序：

收集，收集多晶硅尾气；

冷凝，将收集到的多晶硅尾气进行冷凝处理，使其析出部分氯硅烷；

吸收，将冷凝处理后的多晶硅尾气通过吸附剂，继续吸附除去尾气内残留的氯硅烷。

根据本发明提供的去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法，最后，收集经过吸收处理的多晶硅尾气。

根据上述的去除多晶硅尾气中氯硅烷的方法，多晶硅尾气经过该方法处理后，用于测定尾气中痕量磷化氢的含量。

一种去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，包括取样组件和深冷机构；所述取样组件上连接有管路，管路穿过深冷机构经冷却后连接有吸附组件，吸附组件内填充有吸附剂；所述吸附组件具有出口。

根据本发明提供的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，所述吸附组件的出口连接有收集组件，收集组件与吸附组件之间连接有抽气泵；所述取样组件为取样袋，收集组件为收集袋。

根据本发明提供的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，所述吸附组件为容置筒，其一端为进口，另一端为出口；其内填充的吸附剂成分为NaOH。

根据本发明提供的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，所述深冷机构为冷阱装置，其具有制冷腔，制冷腔内盛装有冷媒，制冷腔外固定包覆有绝热层。

根据本发明提供的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，还包括连接在管路上，并设于取样组件与吸附组件之间的冷凝管，冷凝管置于深冷机构内。

根据本发明提供的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，还包括设于深冷机构内的测温计，测温计为温度传感器。

根据上述的去除多晶硅尾气中氯硅烷的装置，多晶硅尾气经过该装置处理后，用于测定尾气中痕量磷化氢的含量。

本发明的有益效果：