[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201811590209.2 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN110010661A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 黄珍皓;金柄范;裵哲敏;全佑奭 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种显示装置,所述显示装置包括:基底;半导体,位于基底上,并且包括驱动沟道;第一绝缘层,位于半导体上;驱动栅电极,位于第一绝缘层上并且与驱动沟道叠置;第二绝缘层,位于驱动栅电极和第一绝缘层上,并且包括第一介电常数层和第二介电常数层,第二介电常数层具有比第一介电常数层的介电常数大的介电常数;存储电极,位于第二绝缘层上;钝化层,覆盖存储电极和第二绝缘层;像素电极,位于钝化层上;发射构件,位于像素电极上;以及共电极,位于发射构件上,其中,存储电极与驱动栅电极叠置,其中,存储电极、驱动栅电极以及位于存储电极与驱动栅电极之间的第二绝缘层形成存储电容器。 | ||
搜索关键词: | 绝缘层 介电常数 驱动栅电极 存储电极 显示装置 发射构件 像素电极 钝化层 叠置 沟道 基底 半导体 存储电容器 绝缘层形成 驱动 覆盖存储 共电极 电极 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,所述显示装置包括:基底;半导体,设置在所述基底上,其中,所述半导体包括驱动沟道;第一绝缘层,设置在所述半导体上;驱动栅电极,设置在所述第一绝缘层上并且与所述驱动沟道叠置;第二绝缘层,设置在所述驱动栅电极和所述第一绝缘层上,其中,所述第二绝缘层包括第一介电常数层和第二介电常数层,所述第二介电常数层具有比所述第一介电常数层的介电常数大的介电常数;存储电极,设置在所述第二绝缘层上;钝化层,覆盖所述存储电极和所述第二绝缘层;像素电极,设置在所述钝化层上;发射构件,设置在所述像素电极上;以及共电极,设置在所述发射构件上,其中,所述存储电极与所述驱动栅电极叠置,其中,所述存储电极、所述驱动栅电极以及位于所述存储电极与所述驱动栅电极之间的所述第二绝缘层形成存储电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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