[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底；

半导体，设置在所述基底上，其中，所述半导体包括驱动沟道；

第一绝缘层，设置在所述半导体上；

驱动栅电极，设置在所述第一绝缘层上并且与所述驱动沟道叠置；

第二绝缘层，设置在所述驱动栅电极和所述第一绝缘层上，其中，所述第二绝缘层包括第一介电常数层和第二介电常数层，所述第二介电常数层具有比所述第一介电常数层的介电常数大的介电常数；

存储电极，设置在所述第二绝缘层上；

钝化层，覆盖所述存储电极和所述第二绝缘层；

像素电极，设置在所述钝化层上；

发射构件，设置在所述像素电极上；以及

共电极，设置在所述发射构件上，

其中，所述存储电极与所述驱动栅电极叠置，

其中，所述存储电极、所述驱动栅电极以及位于所述存储电极与所述驱动栅电极之间的所述第二绝缘层形成存储电容器。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一介电常数层设置在栅极布线和所述第一绝缘层上，

所述第二介电常数层设置在所述第一介电常数层上，

所述第二绝缘层还包括第三介电常数层，所述第三介电常数层具有比所述第二介电常数层的所述介电常数小的介电常数，

所述第三介电常数层设置在所述第二介电常数层上。

3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二介电常数层包括氧化锆或氧化钛，

所述第一介电常数层和所述第三介电常数层中的每个包括氧化硅、氮化硅或氧化铝。

4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二介电常数层比所述第一介电常数层和所述第三介电常数层中的每个厚。

5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二介电常数层设置在栅极布线和所述第一绝缘层上，

所述第一介电常数层设置在所述第二介电常数层上，

第三介电常数层和第四介电常数层设置在所述第一介电常数层上。

6.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第三绝缘层、辅助电容器下电极、第四绝缘层和辅助电容器上电极，设置在所述钝化层与所述第二绝缘层之间，

其中，所述第三绝缘层设置在所述存储电极和所述第二绝缘层上，

所述辅助电容器下电极设置在所述第三绝缘层上，

所述第四绝缘层设置在所述辅助电容器下电极和所述第三绝缘层上，

所述辅助电容器上电极设置在所述第四绝缘层上，

所述辅助电容器上电极与所述辅助电容器下电极叠置，

其中，所述辅助电容器上电极、所述辅助电容器下电极以及位于所述辅助电容器上电极与所述辅助电容器下电极之间的所述第四绝缘层形成辅助电容器。

7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述第四绝缘层包括第四介电常数层和第五介电常数层，所述第五介电常数层具有比所述第四介电常数层的介电常数大的介电常数，

所述第四绝缘层还包括第六介电常数层，所述第六介电常数层具有比所述第五介电常数层的所述介电常数小的介电常数，

所述第四介电常数层设置在所述辅助电容器下电极和所述第三绝缘层上，

所述第五介电常数层设置在所述第四介电常数层上，

所述第六介电常数层设置在所述第五介电常数层上。

8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述第五介电常数层包括氧化锆或氧化钛，并且

所述第四介电常数层和所述第六介电常数层中的每个包括氧化硅、氮化硅或氧化铝。

9.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述第五介电常数层比所述第四介电常数层和所述第六介电常数层中的每个厚。

10.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述第四绝缘层包括第四介电常数层和第五介电常数层，所述第五介电常数层具有比所述第四介电常数层的介电常数大的介电常数，

所述第五介电常数层设置在所述辅助电容器下电极和所述第三绝缘层上，

所述第四介电常数层设置在所述第五介电常数层上。