[发明专利]显示装置

说明书

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；半导体，位于基底上，并且包括驱动沟道；第一绝缘层，位于半导体上；驱动栅电极，位于第一绝缘层上并且与驱动沟道叠置；第二绝缘层，位于驱动栅电极和第一绝缘层上，并且包括第一介电常数层和第二介电常数层，第二介电常数层具有比第一介电常数层的介电常数大的介电常数；存储电极，位于第二绝缘层上；钝化层，覆盖存储电极和第二绝缘层；像素电极，位于钝化层上；发射构件，位于像素电极上；以及共电极，位于发射构件上，其中，存储电极与驱动栅电极叠置，其中，存储电极、驱动栅电极以及位于存储电极与驱动栅电极之间的第二绝缘层形成存储电容器。

本申请要求于2017年12月29日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0184507号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括发光二极管的显示装置。

背景技术

显示装置可包括两个电极以及设置在所述两个电极之间的发射构件。在显示装置中，从一个电极注入的电子和从另一电极注入的空穴在发射层中彼此结合以产生激子，这产生能量以发射光。显示装置通过使用这样的发射来显示预定的图像。

这样的显示装置可包括均包括发光二极管的多个像素。此外，每个像素可包括用于驱动发光二极管的多个晶体管和至少一个电容器。每个像素的晶体管可包括开关晶体管和驱动晶体管。

发明内容

本发明的示例性实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；半导体，设置在基底上，其中，半导体包括驱动沟道；第一绝缘层，设置在半导体上；驱动栅电极，设置在第一绝缘层上并且与驱动沟道叠置；第二绝缘层，设置在驱动栅电极和第一绝缘层上，其中，第二绝缘层包括第一介电常数层和第二介电常数层，第二介电常数层具有比第一介电常数层的介电常数大的介电常数；存储电极，设置在第二绝缘层上；钝化层，覆盖存储电极和第二绝缘层；像素电极，设置在钝化层上；发射构件，设置在像素电极上；以及共电极，设置在发射构件上，其中，存储电极与驱动栅电极叠置，其中，存储电极、驱动栅电极以及位于存储电极与驱动栅电极之间的第二绝缘层可形成存储电容器。

第一介电常数层可设置在栅极布线和第一绝缘层上，第二介电常数层可设置在第一介电常数层上。

第二绝缘层还可包括第三介电常数层，第三介电常数层具有比第二介电常数层的介电常数小的介电常数，第三介电常数层可设置在第二介电常数层上。

第二介电常数层的介电常数可等于或大于30，第一介电常数层的介电常数可等于或大于6.8并且第三介电常数层的介电常数可等于或大于6.8。

第二介电常数层可包括氧化锆(ZrO_x)或氧化钛(TiO_x)，第一介电常数层和第三介电常数层中的每个可包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)或氧化铝(Al₂O₃)。

第二介电常数层可比第一介电常数层和第三介电常数层中的每个厚。

第二介电常数层的厚度可在50nm至70nm的范围内，第一介电常数层的厚度和第三介电常数层的厚度的总和可在40nm至70nm的范围内。

第二介电常数层可设置在栅极布线和第一绝缘层上，第一介电常数层可设置在第二介电常数层上。

第三介电常数层和第四介电常数层可设置在第一介电常数层上。

等离子体处理层可设置在第二介电常数层与第一介电常数层之间。