[发明专利]存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201811588101.X | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111370422B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李志鹏;林家佑;魏易玄 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器结构及其制造方法，存储器结构包括第一晶体管、第二晶体管、介电层与电容器。第二晶体管位于第一晶体管的一侧。介电层覆盖第一晶体管与第二晶体管。在介电层中具有相连通的第一开口与第二开口。第二开口位于第一开口的侧边。电容器耦接在第一晶体管与第二晶体管之间。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极设置在第一开口的表面上。第二电极设置在第一开口中的第一电极上，且具有延伸至第二开口中的延伸部。延伸部覆盖第二开口所暴露出的第一电极的侧面。绝缘层设置在第一电极与第二电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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