[发明专利]存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：

第一晶体管；

第二晶体管，位于所述第一晶体管的一侧；

介电层，覆盖所述第一晶体管与所述第二晶体管，其中在所述介电层中具有相连通的第一开口与第二开口，且所述第二开口位于所述第一开口的侧边；以及

电容器，耦接在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间，其中所述电容器包括：

第一电极，设置在所述第一开口的表面上；

第二电极，设置在所述第一开口中的所述第一电极上，且具有延伸至所述第二开口中的延伸部，其中所述延伸部覆盖所述第二开口所暴露出的所述第一电极的侧面；以及

绝缘层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间。

2.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管分别为N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管中的一者与另一者。

3.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第二开口的底部高于所述第一开口的底部。

4.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第二开口的底部低于所述第一电极的顶部。

5.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第一电极的顶部低于所述第一开口的顶部。

6.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述延伸部的底部低于所述第一电极的顶部。

7.如权利要求1所述的存储器结构，其中

所述第一晶体管包括第一栅极结构与位于所述第一栅极结构两侧的第一掺杂区与第二掺杂区，

所述第二晶体管包括第二栅极结构与位于所述第二栅极结构两侧的第三掺杂区与第四掺杂区，且

所述第二掺杂区与所述第三掺杂区位于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间。

8.如权利要求7所述的存储器结构，其中所述延伸部位于所述第一电极与所述第一栅极结构之间，且所述延伸部的底部高于所述第一栅极结构的顶部。

9.如权利要求7所述的存储器结构，其中所述延伸部位于所述第一电极与所述第二栅极结构之间，且所述延伸部的底部高于所述第二栅极结构的顶部。

10.如权利要求7所述的存储器结构，其中所述第一开口暴露出所述第二掺杂区与所述第三掺杂区。

11.如权利要求7所述的存储器结构，其中所述第一电极耦接至所述第二掺杂区与所述第三掺杂区。

12.一种存储器结构的制造方法，包括：

提供第一晶体管与第二晶体管，其中所述第二晶体管位于所述第一晶体管的一侧；

形成覆盖所述第一晶体管与所述第二晶体管的介电层，其中在所述介电层中具有相连通的第一开口与第二开口，且所述第二开口位于所述第一开口的侧边；以及

形成耦接在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的电容器，其中所述电容器包括：

第一电极，设置在所述第一开口的表面上；

第二电极，设置在所述第一开口中的所述第一电极上，且具有延伸至所述第二开口中的延伸部，其中所述延伸部覆盖所述第二开口所暴露出的所述第一电极的侧面；以及

绝缘层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间。

13.如权利要求12所述的存储器结构的制造方法，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管分别为N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管中的一者与另一者。

14.如权利要求12所述的存储器结构的制造方法，其中所述第一电极的形成方法包括：

在所述第一开口的表面上共形地形成第一电极材料层；

形成填入所述第一开口中且覆盖所述第一电极材料层的保护层；以及

对所述保护层所与述第一电极材料层进行回蚀刻制作工艺。