[发明专利]存储器结构及其制造方法

说明书

本发明公开一种存储器结构及其制造方法，存储器结构包括第一晶体管、第二晶体管、介电层与电容器。第二晶体管位于第一晶体管的一侧。介电层覆盖第一晶体管与第二晶体管。在介电层中具有相连通的第一开口与第二开口。第二开口位于第一开口的侧边。电容器耦接在第一晶体管与第二晶体管之间。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极设置在第一开口的表面上。第二电极设置在第一开口中的第一电极上，且具有延伸至第二开口中的延伸部。延伸部覆盖第二开口所暴露出的第一电极的侧面。绝缘层设置在第一电极与第二电极之间。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种存储器结构及其制造方法。

背景技术

目前发展出一种存储器结构，包括彼此耦接晶体管与电容器。在此种存储器结构中，使用电容器作为存储组件。因此，如何增加电容器的电容以提升存储器元件的电性效能为目前业界持续努力的目标。

发明内容

本发明提供一种存储器结构及其制造方法，其可有效地增加电容器的电容，进而可提升存储器元件的电性效能。

本发明提出一种存储器结构，包括第一晶体管、第二晶体管、介电层与电容器。第二晶体管位于第一晶体管的一侧。介电层覆盖第一晶体管与第二晶体管。在介电层中具有相连通的第一开口与第二开口。第二开口位于第一开口的侧边。电容器耦接在第一晶体管与第二晶体管之间。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极设置在第一开口的表面上。第二电极设置在第一开口中的第一电极上，且具有延伸至第二开口中的延伸部。延伸部覆盖第二开口所暴露出的第一电极的侧面。绝缘层设置在第一电极与第二电极之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第一晶体管与第二晶体管分别可为N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管中的一者与另一者。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第二开口的底部可高于第一开口的底部。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第二开口的底部可低于第一电极的顶部。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第一电极的顶部可低于第一开口的顶部。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，延伸部的底部可低于第一电极的顶部。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第一晶体管可包括第一栅极结构与位于第一栅极结构两侧的第一掺杂区与第二掺杂区。第二晶体管可包括第二栅极结构与位于第二栅极结构两侧的第三掺杂区与第四掺杂区。第二掺杂区与第三掺杂区可位于第一栅极结构与第二栅极结构之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，延伸部可位于第一电极与第一栅极结构之间。延伸部的底部可高于第一栅极结构的顶部。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，延伸部可位于第一电极与第二栅极结构之间。延伸部的底部可高于第二栅极结构的顶部。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第一开口可暴露出第二掺杂区与第三掺杂区。

依照本发明的一实施例所述，在上述存储器结构中，第一电极可耦接至第二掺杂区与第三掺杂区。

本发明提出一种存储器结构的制造方法，包括以下步骤。提供第一晶体管与第二晶体管。第二晶体管位于第一晶体管的一侧。形成覆盖第一晶体管与第二晶体管的介电层。在介电层中具有相连通的第一开口与第二开口。第二开口位于第一开口的侧边。形成耦接在第一晶体管与第二晶体管之间的电容器。电容器包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极设置在第一开口的表面上。第二电极设置在第一开口中的第一电极上，且具有延伸至第二开口中的延伸部。延伸部覆盖第二开口所暴露出的第一电极的侧面。绝缘层设置在第一电极与第二电极之间。