[发明专利]阵列基板的制备方法、装置及阵列基板在审
| 申请号： | 201811586415.6 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109817575A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 杨凤云;卓恩宗 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上形成栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次沉积形成至少两层非晶硅层，分别为第一非晶硅层和第二非晶硅层，其中，所述第一非晶硅层的沉积速率小于所述第二非晶硅层的沉积速率；在所述第二非晶硅层上依次沉积形成掺杂型非晶硅层和金属层，并图形化所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层，以形成阵列基板。本发明还公开了一种阵列基板以及阵列基板的制备装置。本发明通过制备具有至少两层非晶硅层的主动开关阵列基板，改善了主动开关容易出现图像残留的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅层 阵列基板 沉积 制备 栅极绝缘层 主动开关 掺杂型 金属层 两层 衬底基板 图像残留 制备装置 图形化 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：在衬底基板上形成栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次沉积形成至少两层非晶硅层，分别为第一非晶硅层和第二非晶硅层，其中，所述第一非晶硅层的沉积速率小于所述第二非晶硅层的沉积速率；在所述第二非晶硅层上依次沉积形成掺杂型非晶硅层和金属层，并图形化所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层，以形成阵列基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司，未经惠科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811586415.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
