[发明专利]阵列基板的制备方法、装置及阵列基板

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上形成栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次沉积形成至少两层非晶硅层，分别为第一非晶硅层和第二非晶硅层，其中，所述第一非晶硅层的沉积速率小于所述第二非晶硅层的沉积速率；在所述第二非晶硅层上依次沉积形成掺杂型非晶硅层和金属层，并图形化所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层，以形成阵列基板。本发明还公开了一种阵列基板以及阵列基板的制备装置。本发明通过制备具有至少两层非晶硅层的主动开关阵列基板，改善了主动开关容易出现图像残留的问题。

技术领域

本发明涉及主动开关领域，尤其涉及一种主动开关阵列基板的制备方法、装置以及阵列基板。

背景技术

液晶显示器现已成为市场主流，其工作原理是液晶在电流的驱动下会发生偏转，使光线容易通过，从而显示图像。但是液晶在受长时间的驱动后可能会被极化，造成液晶分子不能在信号电压控制下正常偏转，过一段时间后仍可以看到静止画面的痕迹，即IS现象(ImageSticking)，屏幕上会长时间保持一幅或者一部分静止的画面。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种主动开关阵列基板的制备方法、阵列基板以及阵列基板的制备装置，通过制备具有至少两层非晶硅层的主动开关阵列基板，改善了主动开关容易出现图像残留的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：

在衬底基板上形成栅极和栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上依次沉积形成至少两层非晶硅层，分别为第一非晶硅层和第二非晶硅层，其中，所述第一非晶硅层的沉积速率小于所述第二非晶硅层的沉积速率；

在所述第二非晶硅层上依次沉积形成掺杂型非晶硅层和金属层，并图形化所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层，以形成所述阵列基板。

可选地，所述在所述栅极绝缘层上依次沉积形成至少两层非晶硅层，分别为第一非晶硅层和第二非晶硅层的步骤包括：

在所述栅极绝缘层上，采用第一输出功率，基于第一气流比率的H₂氢气和SiH₄甲硅烷气体沉积形成所述第一非晶硅层；

在所述第一非晶硅层上，采用第二输出功率，基于第二气流比率的H₂氢气和SiH₄甲硅烷气体沉积形成所述第二非晶硅层，其中，所述第二输出功率大于所述第一输出功率，所述第二气流比率小于所述第一气流比率。

可选地，所述第一非晶硅层的层间厚度大于所述第二非晶硅层的层间厚度。

可选地，所述第一非晶硅层的层间厚度为

可选地，所述第一非晶硅层的密度大于所述第二非晶硅层的密度。

可选地，所述在所述栅极绝缘层上依次沉积形成至少两层非晶硅层，分别为第一非晶硅层和第二非晶硅层的步骤之后，还包括：

在所述第二非晶硅层上沉积形成金属层，并图形化所述非晶硅层和所述金属层，以形成所述阵列基板。

可选地，所述图形化所述非晶硅层的步骤包括：

在对所述非晶硅层进行背沟道蚀刻时，在沟道区域内蚀刻出剩余厚度范围为的所述非晶硅层。

为实现上述目的，本发明还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

衬底基板、设于所述衬底基板上的栅极、设于所述衬底基板上且覆盖所述栅极的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的非晶硅层、设于所述非晶硅层上的掺杂型非晶硅层、设于所述掺杂型非晶硅层上的金属层；