[发明专利]阵列基板的制备方法、装置及阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：

在衬底基板上形成栅极和栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上依次沉积形成至少两层非晶硅层，分别为第一非晶硅层和第二非晶硅层，其中，所述第一非晶硅层的沉积速率小于所述第二非晶硅层的沉积速率；

在所述第二非晶硅层上依次沉积形成掺杂型非晶硅层和金属层，并图形化所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层，以形成阵列基板。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上依次沉积形成至少两层非晶硅层，分别为第一非晶硅层和第二非晶硅层的步骤包括：

在所述栅极绝缘层上，采用第一输出功率，基于第一气流比率的氢气和甲硅烷气体沉积形成所述第一非晶硅层；

在所述第一非晶硅层上，采用第二输出功率，基于第二气流比率的氢气和甲硅烷气体沉积形成所述第二非晶硅层，其中，所述第二输出功率大于所述第一输出功率，所述第二气流比率小于所述第一气流比率。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一非晶硅层的层间厚度大于所述第二非晶硅层的层间厚度。

4.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一非晶硅层的层间厚度为

5.如权利要求1或2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一非晶硅层的密度大于所述第二非晶硅层的密度。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述图形化所述非晶硅层的步骤包括：

在对所述非晶硅层进行背沟道蚀刻时，在沟道区域内蚀刻出剩余厚度范围为的所述非晶硅层。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基板、设于所述衬底基板上的栅极、设于所述衬底基板上且覆盖所述栅极的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的非晶硅层、设于所述非晶硅层上的掺杂型非晶硅层、设于所述掺杂型非晶硅层上的金属层；

所述非晶硅层至少包括两层非晶硅层，分别为设于所述栅极绝缘层上的第一晶硅层，以及设于所述第一非晶硅层上的第二非晶硅层；

或者，所述阵列基板包括衬底基板、设于所述衬底基板上的栅极、设于所述衬底基板上且覆盖所述栅极的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的非晶硅层、设于所述非晶硅层上的金属层；

所述非晶硅层至少包括两层非晶硅层，分别为设于所述栅极绝缘层上的第一晶硅层，以及设于所述第一非晶硅层上的第二非晶硅层。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一非晶硅层的层间厚度大于所述第二非晶硅层的层间厚度。

9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一非晶硅层的密度大于所述第二非晶硅层的密度。

10.一种阵列基板的制备装置，其特征在于，所述阵列基板的制备装置包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的阵列基板的制备程序，所述阵列基板的制备程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至6中任一项所述的阵列基板的制备方法的步骤。