[发明专利]一种多芯片扇出型结构的封装方法及其结构

摘要

本发明公开一种多芯片扇出型结构的封装方法及其结构，属于半导体封装技术领域。包括如下步骤：首先，提供支撑架，所述支撑架的中间区域为镂空，边缘区域存在通孔；将支撑架与A芯片分次装片至带有热剥离膜的载具上；用包覆膜将支撑架与A芯片包覆，并去除热剥离膜和载具，形成新的晶圆载体；在新的晶圆载体的底部表面形成钝化层和布线层；将带有金属凸块的B芯片倒装到所述布线层上；通过包覆料对B芯片、金属凸块和布线层进行包覆保护；在新的晶圆载体顶部表面依次形成钝化层、再布线层、再钝化层；在再钝化层的开口上方生长焊球凸点，生成最终的封装体。

主权项

1.一种多芯片扇出型结构的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供支撑架（303），所述支撑架（303）的中间区域为镂空，边缘区域存在通孔；步骤二、将支撑架（303）与A芯片（302A）分次装片至带有热剥离膜（401）的载具（402）上；步骤三、用包覆膜（301）将支撑架（303）与A芯片（302A）包覆，并去除热剥离膜（401）和载具（402），形成新的晶圆载体；步骤四、在新的晶圆载体的底部表面形成钝化层（306）和布线层（307）；步骤五、将带有金属凸块（308）的B芯片（302B）倒装到所述布线层（307）上；步骤六、通过包覆料（309）对B芯片（203B）、金属凸块（308）和布线层（307）进行包覆保护；步骤七、在新的晶圆载体顶部表面依次形成钝化层（310）、再布线层（311）、再钝化层（312）；步骤八、在再钝化层（312）的开口上方生长焊球凸点（313），生成最终的封装体。