[发明专利]一种多芯片扇出型结构的封装方法及其结构

权利要求书

1.一种多芯片扇出型结构的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供支撑架（303），所述支撑架（303）的中间区域为镂空，边缘区域存在通孔；

步骤二、将支撑架（303）与A芯片（302A）分次装片至带有热剥离膜（401）的载具（402）上；

步骤三、用包覆膜（301）将支撑架（303）与A芯片（302A）包覆，并去除热剥离膜（401）和载具（402），形成新的晶圆载体；

步骤四、在新的晶圆载体的底部表面形成钝化层（306）和布线层（307）；

步骤五、将带有金属凸块（308）的B芯片（302B）倒装到所述布线层（307）上；

步骤六、通过包覆料（309）对B芯片（203B）、金属凸块（308）和布线层（307）进行包覆保护；

步骤七、在新的晶圆载体顶部表面依次形成钝化层（310）、再布线层（311）、再钝化层（312）；

步骤八、在再钝化层（312）的开口上方生长焊球凸点（313），生成最终的封装体。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在新的晶圆载体的底部表面形成钝化层（306）和布线层（307）之前，所述封装方法还包括：

去除新的晶圆载体底部的包覆膜（301），直至露出支撑架（303）。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述支撑架（303）的厚度大于所述A芯片（302A）的厚度。

4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述支撑架（303）内边缘距离相邻A芯片（302A）边缘距离大于50um。

5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述A芯片（302A）的厚度为50~200um。

6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述支撑架（303）中通孔的侧壁由绝缘材料（304）覆盖，所述绝缘材料（304）为SMF或SiO₂；通孔的中间区域填充有金属材料（305）。

7.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述金属材料（305）的直径最小为15um。

8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述金属凸块（308）的材料为Sn，或CuSn，或CuNiSn，或CuNiSnAg。

9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述包覆膜（301）的材料为模塑料；所述包覆料（309）的材料为模塑料，或模塑料与填充料的结合体。

10.一种根据权利要求1-9任一所述的封装方法制备出的多芯片扇出型结构。