[发明专利]曝光装置及其对位曝光方法有效

专利信息
申请号: 201811580509.2 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN109375478B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 王建勋;林庆鸿;吴嘉训 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00;G03F1/42
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种曝光装置及其对位曝光方法,对位曝光方法包含:提供基板至第一曝光机台、利用第一曝光机台对所有定位点执行对位工序以得到补偿信息、利用第一曝光机台根据补偿信息对基板的各第一区域进行曝光来执行第一曝光工序、传送基板至第二曝光机台以及利用第二曝光机台根据补偿信息及至少一基准点对基板的各第二区域进行曝光来执行第二曝光工序。于此,基板包括多个第一区域及多个第二区域,此些第一区域与此些第二区域未重叠,各第一区域的尺寸小于各第二区域的尺寸,各第一区域与各第二区域分别具有多个定位点,且其中至少一基准点为对应此些第二区域的此些定位点中的至少一者。
搜索关键词: 曝光 装置 及其 对位 方法
【主权项】:
1.一种对位曝光方法,包括:提供基板至第一曝光机台,其中该基板包括多个第一区域及多个第二区域,该些第一区域与该些第二区域未重叠,各该第一区域的尺寸小于各该第二区域的尺寸,各该第一区域与各该第二区域分别具有多个定位点;利用该第一曝光机台对所有该定位点执行对位工序以得到补偿信息;利用该第一曝光机台根据该补偿信息对该基板的各该第一区域进行曝光来执行第一曝光工序;传送该基板至第二曝光机台;以及利用该第二曝光机台根据该补偿信息及至少一基准点对该基板的各该第二区域进行曝光来执行第二曝光工序,其中该至少一基准点为对应该些第二区域的该些定位点中的至少一者。
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