[发明专利]曝光装置及其对位曝光方法

说明书

本发明公开一种曝光装置及其对位曝光方法，对位曝光方法包含：提供基板至第一曝光机台、利用第一曝光机台对所有定位点执行对位工序以得到补偿信息、利用第一曝光机台根据补偿信息对基板的各第一区域进行曝光来执行第一曝光工序、传送基板至第二曝光机台以及利用第二曝光机台根据补偿信息及至少一基准点对基板的各第二区域进行曝光来执行第二曝光工序。于此，基板包括多个第一区域及多个第二区域，此些第一区域与此些第二区域未重叠，各第一区域的尺寸小于各第二区域的尺寸，各第一区域与各第二区域分别具有多个定位点，且其中至少一基准点为对应此些第二区域的此些定位点中的至少一者。

技术领域

本发明涉及一种曝光技术，特别是涉及一种曝光装置及应用此曝光装置的对位曝光方法。

背景技术

在半导体制造工序中，目前常见的对位曝光方法通常是通过曝光装置进行光掩模与基板的对位后，进行曝光工序。一般来说，基板具有多个曝光预定区适于用来制作一个或多个薄膜晶体管基板。

对具有单一曝光装置的曝光系统来说，在曝光工序之前，需通过此一曝光装置对所有曝光预定区进行对位。而后，才能进行此些曝光预定区域曝光。于此，有相当一部分的时间会花费在光掩模的切换、及对位工序上。

发明内容

本发明一实施例提出一种曝光装置，其包括第一曝光机台以及第二曝光机台。第一曝光机台对基板所包括的多个第一区域的多个定位点及多个第二区域的多个定位点执行对位工序以得到补偿信息。第一曝光机台根据补偿信息对基板的各第一区域进行曝光来执行第一曝光工序。其中，各第一区域的尺寸小于各第二区域的尺寸。第二曝光机台根据补偿信息及至少一基准点对基板的各第二区域进行曝光来执行第二曝光工序，其中至少一基准点为对应此些第二区域的此些定位点中的至少一者。

本发明一实施例提出一种对位曝光方法，其包含：提供基板至第一曝光机台、利用第一曝光机台对所有定位点执行对位工序以得到补偿信息、利用第一曝光机台根据补偿信息对基板的各第一区域进行曝光来执行第一曝光工序、传送基板至第二曝光机台以及利用第二曝光机台根据补偿信息及至少一基准点对基板的各第二区域进行曝光来执行第二曝光工序。于此，基板包括多个第一区域及多个第二区域，此些第一区域与此些第二区域未重叠，各第一区域的尺寸小于各第二区域的尺寸，各第一区域与各第二区域分别具有多个定位点，且其中至少一基准点为对应此些第二区域的此些定位点中的至少一者。

综上所述，本发明实施例的曝光装置及其对位曝光方法，能通过第一曝光机台一并执行第一区域及第二区域的对位步骤(对位工序)后再执行第一区域的曝光工序(第一曝光工序)，且第一曝光机台可以将对位工序所获得的补偿信息传送至第二曝光机台，使得第二曝光机台可以节约第二区域于对位步骤所花费的时间并依据补偿信息而直接进行第二曝光工序。

附图说明

图1为本发明一实施例的曝光装置的配置图；

图2为利用本发明一实施例的曝光装置进行对位曝光的基板的示意图；

图3为本发明另一实施例的曝光装置的配置图；

图4为本发明一实施例的对位曝光方法的流程图；

图5为步骤S103的一实施例的流程图；

图6为利用本发明一实施例的第一曝光机台对基板的第一区域进行曝光示意图；

图7为利用本发明一实施例的第二曝光机台对基板的第二区域进行曝光示意图；

图8为步骤S107的一实施例的流程图；

图9为利用本发明另一实施例的第一曝光机台对基板的第一区域进行曝光示意图；

图10为利用本发明另一实施例的第二曝光机台对基板的第二区域进行曝光示意图；

图11为本发明另一实施例的对位曝光方法的流程图；