[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201811572406.1 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110752252B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其形成方法，该方法包括提供一半导体基板。半导体基板包括低电位预定区、高电位预定区及高电位接面终端预定区，且上述高电位接面终端预定区位于上述低电位预定区与上述高电位预定区之间。上述方法亦包括形成隔离区于上述高电位接面终端预定区与上述高电位预定区中。上述隔离区具有第一导电型态，且上述隔离区具有第一侧以及相对于上述第一侧的第二侧。上述方法亦包括形成多个彼此分离的第一注入区于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中。这些第一注入区具有相反于上述第一导电型态的第二导电型态。上述方法亦包括对这些第一注入区进行热处理工艺以于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中形成至少一第一阱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括:/n提供一半导体基板，其中所述半导体基板包括一低电位预定区、一高电位预定区以及一高电位接面终端HVJT预定区，且所述高电位接面终端预定区位于所述低电位预定区与所述高电位预定区之间；/n形成一隔离区于所述高电位接面终端预定区与所述高电位预定区中，其中所述隔离区具有一第一导电型态，且所述隔离区具有一第一侧以及相对于所述第一侧的一第二侧；/n形成多个彼此分离的第一注入区于所述隔离区第一侧的所述高电位接面终端预定区中，其中所述多个第一注入区具有相反于所述第一导电型态的一第二导电型态；以及/n对所述多个第一注入区进行一热处理工艺以于所述隔离区第一侧的所述高电位接面终端预定区中形成至少一第一阱。/n
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