[发明专利]半导体装置及其形成方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其形成方法，该方法包括提供一半导体基板。半导体基板包括低电位预定区、高电位预定区及高电位接面终端预定区，且上述高电位接面终端预定区位于上述低电位预定区与上述高电位预定区之间。上述方法亦包括形成隔离区于上述高电位接面终端预定区与上述高电位预定区中。上述隔离区具有第一导电型态，且上述隔离区具有第一侧以及相对于上述第一侧的第二侧。上述方法亦包括形成多个彼此分离的第一注入区于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中。这些第一注入区具有相反于上述第一导电型态的第二导电型态。上述方法亦包括对这些第一注入区进行热处理工艺以于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中形成至少一第一阱。

技术领域

本发明实施例是有关于一种半导体装置的形成方法，且特别有关于一种具有高电位区与低电位区的半导体装置的形成方法。

背景技术

在半导体装置的制造中，有时须将高压集成电路与低压集成电路同时整合至半导体装置中。在此类的半导体装置中，高压操作的区域可称为高电位区，低压操作的区域可称为低电位区。高电位区中的高压集成电路以及低电位区中的低压集成电路之间通常可经由电平移位器(level shifter)交换信号。此外，高电位区与低电位区之间可设置有用以承受半导体装置所需求的击穿电压的隔离结构。

现有的将高压集成电路与低压集成电路整合在一起的半导体装置虽然大抵上可满足一般的需求，但却并非在各方面都令人满意。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置的形成方法。上述方法包括提供一半导体基板。上述半导体基板包括低电位预定区、高电位预定区以及高电位接面终端预定区，且上述高电位接面终端预定区位于上述低电位预定区与上述高电位预定区之间。上述方法亦包括形成隔离区于上述高电位接面终端预定区与上述高电位预定区中。上述隔离区具有第一导电型态，且上述隔离区具有第一侧以及相对于上述第一侧的第二侧。上述方法亦包括形成多个彼此分离的第一注入区于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中。这些第一注入区具有相反于上述第一导电型态的第二导电型态。上述方法亦包括对这些第一注入区进行热处理工艺以于上述隔离区第一侧的高电位接面终端预定区中形成至少一第一阱。

本发明实施例亦提供一种半导体装置。上述半导体装置包括半导体基板。上述半导体基板包括低电位区、高电位区以及高电位接面终端区，且上述高电位接面终端区位于上述低电位区与上述高电位区之间。上述半导体装置亦包括设置于上述高电位接面终端区与上述高电位区中的隔离区。上述隔离区具有第一导电型态，且上述隔离区具有第一侧以及相对于上述第一侧的第二侧。上述半导体装置亦包括设置于上述隔离区第一侧的上述高电位接面终端区中的第一阱。上述第一阱具有相反于上述第一导电型态的第二导电型态。上述第一阱具有低掺杂浓度区，且上述低掺杂浓度区位于上述第一阱的第一高掺杂浓度区与第二高掺杂浓度区之间。

本发明实施例亦提供一种半导体装置。上述半导体装置包括半导体基板。上述半导体基板包括低电位区、高电位区以及高电位接面终端区，且上述高电位接面终端区位于上述低电位区与上述高电位区之间。上述半导体装置亦包括设置于上述高电位接面终端区与上述高电位区中的隔离区。上述隔离区具有第一导电型态，且上述隔离区具有第一侧以及相对于上述第一侧的第二侧。上述半导体装置亦包括设置于上述隔离区第一侧的上述高电位接面终端区中的多个第一阱。这些第一阱彼此分离。这些第一阱具有相反于上述第一导电型态的第二导电型态。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明实施例。应注意的是，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，元件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本发明实施例的技术特征。

图1、图2、图3以及图4A为一系列的上视图，用以说明本发明一些实施例的半导体装置的形成方法。

图4B为沿着图4A的剖面线A-A’绘示而得的剖面图。

图5为根据本发明一些实施例绘示出半导体装置50的剖面图。