[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括:

提供一半导体基板，其中所述半导体基板包括一低电位预定区、一高电位预定区以及一高电位接面终端预定区，且所述高电位接面终端预定区位于所述低电位预定区与所述高电位预定区之间；

形成一隔离区于所述高电位接面终端预定区与所述高电位预定区中，其中所述隔离区具有一第一导电型态，且所述隔离区具有一第一侧以及相对于所述第一侧的一第二侧；

形成多个彼此分离的第一注入区于所述隔离区第一侧的所述高电位接面终端预定区中，其中所述多个第一注入区具有相反于所述第一导电型态的一第二导电型态；以及

对所述多个第一注入区进行一热处理工艺以于所述隔离区第一侧的所述高电位接面终端预定区中形成至少一第一阱。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述多个第一注入区的任意相邻两者之间的间距相同。

3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述多个第一注入区的任意相邻两者之间的间距朝着远离所述低电位预定区的一方向递增。

4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述多个第一注入区的任意相邻两者之间的间距朝着远离所述低电位预定区的一方向递减。

5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述第一阱的一深度小于所述隔离区的一深度。

6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述第一阱具有一低掺杂浓度区，且所述低掺杂浓度区位于所述第一阱的一第一高掺杂浓度区与一第二高掺杂浓度区之间。

7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，更包括:

形成多个彼此分离的第二注入区于所述隔离区第二侧的所述高电位接面终端预定区中，其中所述多个第二注入区具有所述第二导电型态；以及

对所述多个第二注入区进行所述热处理工艺以于所述隔离区第二侧的所述高电位接面终端预定区中形成至少一第二阱。

8.如权利要求7所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述多个第一注入区与所述多个第二注入区交错排列。

9.如权利要求7所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述多个第一注入区与所述多个第二注入区相对于所述隔离区对称。

10.一种半导体装置，其特征在于，包括:

一半导体基板，其中所述半导体基板包括一低电位区、一高电位区以及一高电位接面终端区，且所述高电位接面终端区位于所述低电位区与所述高电位区之间；

一隔离区，设置于所述高电位接面终端区与所述高电位区中，其中所述隔离区具有一第一导电型态，且所述隔离区具有一第一侧以及相对于所述第一侧的一第二侧；以及

一第一阱，设置于所述隔离区第一侧的所述高电位接面终端区中，其中所述第一阱具有相反于所述第一导电型态的一第二导电型态，其中所述第一阱具有一低掺杂浓度区，且所述低掺杂浓度区位于所述第一阱的一第一高掺杂浓度区与一第二高掺杂浓度区之间。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一阱的一深度小于所述隔离区的一深度。

12.一种半导体装置，其特征在于，包括:

一半导体基板，其中所述半导体基板包括一低电位区、一高电位区以及一高电位接面终端区，且所述高电位接面终端区位于所述低电位区与所述高电位区之间；

一隔离区，设置于所述高电位接面终端区与所述高电位区中，其中所述隔离区具有一第一导电型态，且所述隔离区具有一第一侧以及相对于所述第一侧的一第二侧；以及

多个彼此分离的第一阱，设置于所述隔离区第一侧的所述高电位接面终端区中，其中所述多个第一阱具有相反于所述第一导电型态的一第二导电型态。