[发明专利]一种提高刻蚀腔电流稳定性的方法有效
| 申请号: | 201811557608.9 | 申请日: | 2018-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN109659266B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | 聂钰节;昂开渠;聂珊珊 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/311 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供一种提高刻蚀腔电流稳定性的方法,该方法提供具有静电吸盘的刻蚀腔、晶圆和控制系统,静电吸盘具有使用时间数,静电吸盘的电路系统中设有可调变阻器;静电吸盘电路系统中的电流与使用时间数呈线性关系,控制系统采集静电吸盘的使用时间数并根据该使用时间数计算电路系统中的电流值;提供一基准电流值,控制系统将计算得到的电流值反馈至可调变阻器,可调变阻器对其内部电阻进行调节,使电路系统中电流值等于基准电流值,使用刻蚀腔对晶圆进行多次刻蚀,每次刻蚀均重复以上步骤。该方法通过可变电阻的调节,保持了刻蚀作业中静电吸盘电流稳定,避免因静电吸盘表面吸附聚合物而导致电流增大造成刻蚀腔作业环境漂移的现象。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 提高 刻蚀 电流 稳定性 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提高刻蚀腔电流稳定性的方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:步骤一、提供一设有静电吸盘的刻蚀腔;所述静电吸盘设有电路系统,所述电路系统中设有可调变阻器;步骤二、所述静电吸盘电路系统中的环路电流随该刻蚀腔的使用时间呈线性变化;提供一控制系统,所述控制系统采集所述静电吸盘使用时间的数值,并根据该使用时间的数值计算得到该电路系统中环路电流的数值;步骤三、提供一基准电流值,所述控制系统将步骤二中计算得到的环路电流的数值反馈至所述可调变阻器,该可调变阻器对其内部阻值进行调节,使所述电路系统中环路电流的大小与所述基准电流值大小接近或相同;步骤四、提供至少一片晶圆,使所述刻蚀腔对所述晶圆进行多次刻蚀,每刻蚀一次均循环执行步骤二至步骤三。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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